STP110N7F6
STP110N7F6参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 68V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 毫欧 @ 55A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 100nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5850pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 176W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP110N7F6手册
STP110N7F6概述
STP110N7F6 产品概述
STP110N7F6 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高效率开关电源、电机控制及其他要求高功率密度的应用而设计。该器件封装采用广泛使用的 TO-220 封装形式，具有良好的散热性能，适合于快速高效的电子设计需求。
基础技术参数
STP110N7F6 的最大漏源电压（Vdss）为 68V，能够在这一电压范围内稳定工作，适应多种高电压应用。其连续漏极电流（Id）可达 110A（在适当的冷却条件下），使其在高电流应用中表现出色。设计中，具有较低的导通电阻特性，最大 Rds(on) 为 6.5 毫欧（在 55A 和 10V Vgs 条件下），极大地降低了能量损耗，提高了系统的整体效率。
电气特性
STP110N7F6 填补了高导通性能和对高电压应用要求的需求，具有良好的阈值电压特性（Vgs(th) 最大值为 4V @ 250µA），此特性使得它可以在低栅压下顺利导通。相应的，器件的栅极电荷（Qg）为 100nC @ 10V，不仅有助于控制开关速度，还大大减少了在高频应用中的开关损耗，提供更高的效率。
此外，该器件的输入电容（Ciss）在25V 时最大值为 5850pF，表明在传输信号时的快速响应能力，使得其特别适用于高频操作。过载时的功率耗散能力达到 176W（Tc），再加上工作温度范围从 -55°C 到 175°C，保证了其在各种极端环境条件下的可靠性。
应用领域
STP110N7F6 的高功率能力和出色的热性能使其适合多种电子应用，包括但不限于：
- 开关电源：由于其在高频和高电流情况下的有效性能，此 MOSFET 是高效 DC-DC 转换器和 AC-DC 适配器设计的理想选择。
- 电机驱动：在电机控制，如直流电机和无刷电机驱动器中，STP110N7F6 以其高流和快速响应能力提供稳定、高效的电源管理。
- 逆变器和电源模块：器件的高电压能力和导通性能使其在太阳能逆变器及其他电源模块的应用中表现出色。
- 电池管理系统：作为功率开关，它可以用于电池管理系统，使其可靠地控制充电和放电过程。
封装与散热
STP110N7F6 采用 TO-220 封装，具有优秀的散热性能和机械强度，方便于PCB的通孔安装。其结构设计允许在狭小空间内实现更高效的热管理，尤其是在高功率密度设计中，确保器件的稳定运行和延长使用寿命。这一封装的易用性和可安装性使得开发和集成变得更为简单，适合广泛的应用场景。
结论
总之，STP110N7F6 是意法半导体高效能、稳定性和多功能性为一体的 N 通道 MOSFET，凭借其优秀的电气特性和热管理能力，在现代电子设计中具有重要地位。无论是在开关电源、电机控制还是其他高功率应用中，STP110N7F6 都能提供卓越的性能表现，满足设计师对高效率和高可靠性的严格要求。这款产品不仅在性能上出众，同时也在成本效益上具有优势，成为电子工程师的理想选择。