STN1NK80Z
STN1NK80Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 250mA |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 16Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 250mA（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.7nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 160pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
STN1NK80Z手册
STN1NK80Z概述
STN1NK80Z 产品概述
STN1NK80Z是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的高电压N沟道MOSFET，专为高温和高电压应用设计。该器件具有优越的性能参数，适用于多种电子电路和系统，在电源管理、电机控制和开关应用中表现卓越。其主要特征如下：
基本参数
漏源电压（Vdss）：STN1NK80Z的最大漏源电压可达800V，适合高电压电源电路，能够处理大电压负载而不发生击穿。
连续漏极电流（Id）：在环境温度25°C时，该MOSFET的连续漏极电流为250mA，能够稳定运行，满足大部分小功率应用的需求。
导通电阻（Rds(on)）：在Vgs为10V和Id为500mA时，漏源导通电阻为16Ω。这一低Rds(on)值有助于降低功耗，提高电路的能效。
最大功率耗散：该器件的功率耗散能力为2.5W（在25°C时），进一步优化了其在高功率应用中的性能表现。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）：其阈值电压为4.5V @ 50μA，显示了对较低栅压操作的良好特性，适合低电压驱动的应用场合。
驱动电压：该器件的最大驱动电压为10V，以确保其在各种工作状态下都能获得较好的驱动效果，增强导通能力和切断性能。
典型应用
STN1NK80Z广泛应用于各种电子设备中，如：
电源开关：因其高压和低损耗特性，适用于AC/DC转换器和电源管理电路。
电机控制：在变频器和电机驱动电路中，作为开关元件，可以提升效率并延长装置的使用寿命。
照明控制：在LED驱动和其他照明应用中，可以有效地切换大功率负载。
性能优势
高可靠性：STN1NK80Z的工作温度范围为-55°C至150°C，适应性强，可以在严苛环境下工作。
低漏电和高开关速度：凭借其出色的输入特性，该器件能够在频繁开关情况下保持低漏电流，降低整个系统的能量损耗。
先进的封装：采用SOT-223封装，具有较小的占板面积和良好的散热性能，便于在现代电子设计中实现高密度组装。
结论
STN1NK80Z是一款结合了高性能、高可靠性和易于集成特性的N沟道MOSFET，是满足当今电子设备对高功率、高效率需求的重要选择。其800V的漏源电压和250mA的连续漏极电流，使其在电源开关和电机控制等应用中表现出色。无论是用于工业控制、消费电子还是其他高科技领域，STN1NK80Z都将是一个值得信赖的解决方案。通过其出色的技术支持和强大的品牌背书，您可以自信地选择STN1NK80Z来满足您的设计需求。