安装类型 | 通孔 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50µA | 工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.6V @ 500µA,350mA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 1000 @ 350mA,2V |
ULN2003A 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)推出的高性能七通道 NPN 达林顿型晶体管阵列。该产品特别设计用于高电流驱动应用,具有高输入阻抗和高电流增益,广泛应用于各种电子控制系统中,包括继电器驱动、灯光控制、电机控制等。它通过集成多个达林顿对的形式,简化了原理图设计,同时节省了PCB空间和元件数量。
安装类型:通孔(DIP封装),便于在标准 PCB 上进行焊接,适合大多数传统电子产品的设计需求。
电流 - 集电极 (Ic):最大值为500mA,能够支持相对高负载电流,无需额外的外部功率放大器。
电流 - 集电极截止:最大值为50µA,确保在非导通状态下极低的漏电流。
工作温度:-40°C至85°C的工作温度范围,适应各种环境条件,适用于工业和消费类电子设备。
电压 - 集射极击穿:最大值为50V,提供良好的电压保护能力,适应多种应用场合。
晶体管类型:7 NPN 达林顿结构,独特的配置提供高电流增益。
饱和压降:在不同 Ib、Ic 下,Vce 饱和压降的最大值为1.6V @ 500µA、350mA,表明在高电流状态下的低导通损耗。
电流增益(hFE):在Ic为350mA、Vce为2V时,DC电流增益的最小值为1000,展现出这种达林顿晶体管的卓越放大能力。
ULN2003A 的设计使其适用于多种应用场景,包括:
继电器驱动:可以直接驱动多个继电器,实现自动控制系统的开关。
灯光控制:适用于LED灯组或其他光源的控制,通过较小的输入信号控制大电流输出。
电机驱动:能够以较低的控制信号驱动各种电机,广泛应用于机器人和自动化设备中。
开关控制:在智能家居和工业控制领域,用来控制各种电器的开关。
高电流增益:由于其达林顿配置,ULN2003A 可以在较小的输入信号下实现较大的输出电流,有效降低了控制电路的复杂度。
多通道设计:集成的七个晶体管通道不仅节省了 PCB 空间,还简化了布线和设计流程。
耐用性:宽广的工作温度范围和高击穿电压使 ULN2003A 能够在严苛的环境中稳定工作。
易于使用:通孔封装设计使得安装和更换都非常方便,适合快速原型制作和小批量生产。
ULN2003A 是一款高效、耐用的 NPN 达林顿晶体管阵列,凭借其出色的电气特性和广泛的应用领域,成为了电子设计工程师常用的元件之一。在现代电子设备中,无论是基础的开关控制,还是复杂的自动化系统,ULN2003A 都展示了其不可替代的功能和价值。无论是专业的工程师还是业余电子爱好者,ULN2003A 都能够满足其各种电流驱动需求,助力各类项目的顺利实施。