SUP57N20-33-E3
SUP57N20-33-E3参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 200V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 57A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 33 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 130nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 5100pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3.75W（Ta），300W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220AB |
SUP57N20-33-E3手册
SUP57N20-33-E3概述
产品概述：SUP57N20-33-E3
SUP57N20-33-E3是一款高性能的N沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），专为高压和高电流应用设计。其封装类型为TO-220-3，可以适应通孔（THT）安装方式，使其在电路板上的组装更加灵活和高效。作为VISHAY（威世）品牌的一部分，该器件在电子元器件领域享有良好的声誉，提供卓越的性能和可靠性。
关键参数
电压和电流规格： SUP57N20-33-E3具有200V的漏源极电压（Vdss），可以在多种高压应用中正常工作，支持高达57A的连续漏极电流（Id）。这些特性使得该器件非常适合于电源管理、电机驱动和开关电源等高负载工作环境。
导通电阻和功率耗散： 在10V的栅源电压（Vgss）下，该MOSFET在30A的工作条件下最大导通电阻仅为33毫欧，显示了其优越的导电性能。同时，其最大的功率耗散能力为3.75W（在环境温度下）和300W（在结温条件下），保证了器件在高负载时的稳定性。
栅极驱动能力： SUP57N20-33-E3在驱动电压条件下具有良好的响应特性。其栅极电荷（Qg）最大值为130nC，能有效缩短开关周期，提高整体电路的工作效率。此外，Vgs（栅源电压）最多可达到±20V，进一步提升了器件在各种电路应用中的兼容性。
温度范围： 该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适应严苛的环境条件，确保在极端气候条件下依然保持良好的性能。这一点尤其适合在汽车、航空以及高温工业设备中的应用。
输入电容特性： 其输入电容（Ciss）在25V时最大值为5100pF，确保其在高速开关操作下可以快速获取所需的电压，从而减少延迟和功率损失。
应用场景
SUP57N20-33-E3适用于多种应用场景，包括但不限于：
电源开关：在电源管理和开关电源中，该MOSFET能够在高效率和高可靠性之间达到良好的平衡。
电机驱动：用于电动机驱动电路中，能够提供高效的开关控制，确保平稳运行。
自动化控制：在工业自动化设备中，SUP57N20-33-E3可用于驱动继电器和其他高电流负载。
汽车电子：由于其耐高温和高压特性，该器件非常适用于新能源汽车和汽车电子控制单元。
总结
总的来说，SUP57N20-33-E3是一款具有高效能、强大可靠性的N沟道MOSFET，广泛适用于需要高电压和高电流的各类电子应用。其优秀的电气参数和宽广的工作温度范围，确保了其在严格环境中的可靠性和耐用性，成为电子系统设计师们在选择元件时的优选之一。无论是在工业还是消费类电子产品，SUP57N20-33-E3都能满足现代电子设计的高性能需求，为用户提供安全、有效的解决方案。