STW18NM80
STW18NM80参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 17A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 295mΩ @ 8.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 190W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 295 毫欧 @ 8.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2070pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW18NM80手册
STW18NM80概述
STW18NM80 产品概述
STW18NM80 是一款高性能 N 沟道 MOSFET（场效应管），由意法半导体（STMicroelectronics）制造。该产品专为高电压和高电流应用而设计，具有出色的电气性能和热特性，适合广泛的电子应用场景。
主要规格
- 漏源电压 (Vdss): 800V
- 连续漏极电流 (Id): 17A（在 Tc = 25°C 下）
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 5V @ 250µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 295mΩ @ 8.5A, 10V
- 最大功率耗散: 190W（在 Ta = 25°C 时）
- 工作温度: 可达150°C（最大结温 TJ）
- 封装类型: TO-247-3
产品特性
STW18NM80 采用金属氧化物半导体技术，具备优良的导通性能和低导通损耗，适用于高频开关电源、电机驱动、PSU（电源单元）和其他高效能的电力电子设备。其漏源电压为 800V，适合在高电压环境下安全可靠地工作，同时，17A 的连续漏极电流确保了其在高负载条件下的稳定性。
该器件的栅源阈值电压为 5V，意味着在中等驱动电压下即可实现开关操作，从而提升了系统的适应性和设计灵活性。其漏源导通电阻（Rds(on)）的最大值为 295mΩ，这在低电流下保持较低的热损耗，有助于提高整体系统的能效。
应用场景
STW18NM80 广泛应用于工业、汽车电子和消费电子领域。它适合用于开关电源、DC-DC 转换器、照明驱动、太阳能逆变器及其他电力电子设备。在这些应用中，该 MOSFET 能够高效处理大量电流，同时保持低发热，增强器件的可靠性。
热管理与封装
该 MOSFET 的最大功率耗散为 190W，强调了其在高负载应用中出色的热管理能力。TO-247-3 封装设计提供了良好的散热性能，可以有效降低器件的结温，保证在高温环境下的稳定运行。此外，产品的工作温度范围可达 150°C，适合在高温环境中长期使用。
驱动特性
在推动此 MOSFET 时，设计者需为栅极提供足够的电压驱动，以确保其正常工作。最大驱动电压为 ±30V，在大多数应用中都可以轻松实现。栅极电荷量 (Qg) 为 70nC，使得驱动电路设计相对简单，且能够在高频率应用中高效切换。
综述
总的来说，STW18NM80 是一款强大的 N 沟道 MOSFET，凭借其高电压、高电流能力及低导通电阻的特性，使其在现代电子设计中具有极大的吸引力。无论是在功率转换、驱动电路还是开关电源中，其卓越性能都能满足苛刻的应用需求，为设计师提供了理想的工作条件和高度的灵活性。选择 STW18NM80，将使得您的设计在效率和可靠性上都迈入新的高度。