STW13NK100Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-247-3
包装 :
管装
重量 :
6.985g
描述 :
场效应管(MOSFET) 350W 1kV 13A 1个N沟道 TO-247-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
14.59按整 :
管(1管有600个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥14.59
--
10+
￥12.58
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12000+
产品参数
产品手册
产品概述
STW13NK100Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 1000V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 13A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 150uA | 漏源导通电阻 | 700mΩ @ 6.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 350W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 13A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 700 毫欧 @ 6.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 266nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6000pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 350W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW13NK100Z手册
STW13NK100Z概述
STW13NK100Z 产品概述
STW13NK100Z 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件专为高电压和大电流应用设计，具有卓越的导通性能和良好的热管理能力，广泛应用于电源管理、工业控制和电动汽车等领域。
主要技术参数
漏源电压（Vdss）: 1000V
- STW13NK100Z 可在高达 1000V 的极高电压下稳定工作，适合用于高压开关电源、变换器及其他高压应用。
连续漏极电流（Id）: 13A (Tc)
- 在 25°C 的环境下，该 MOSFET 能持续承载的漏极电流高达 13A，提供了较高的电流承载能力，适用于负载较大的电气设备。
导通电阻（Rds(on)）: 700mΩ @ 6.5A, 10V
- 其低导通电阻特性意味着在处理较高电流时，其功率损耗小，提升了电路效率并降低了功率发热，进而提高了系统的可靠性和稳定性。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 150µA
- 较低的栅极驱动电压使得 STW13NK100Z 可快速开关，减少开关损耗，提高系统性能。
栅极电荷（Qg）: 266nC @ 10V
- 该值反映了其在开关操作中的响应速度，较低的栅极电荷可以让 MOSFET 在高频开关应用中表现良好。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ)
- STW13NK100Z 具备宽广的工作温度范围，确保其在各种严苛环境下的可靠性，使其在极端温度条件下仍然能够稳定工作。
功率耗散（Pd）: 350W (Tc)
- 该器件在较高环境温度及负载条件下具有出色的功率处理能力，适合用于高功率电源设计。
封装类型: TO-247-3
- TO-247 封装设计确保了良好的散热特性，适合于需要高功率和高电流的应用，使安装和散热变得更加高效。
典型应用
STW13NK100Z 强大的性能使其在许多应用场合中大显身手，包括但不限于：
- 开关电源: 高压和高效能的电源转换器，以及逆变器。
- 工业控制: 用于电机驱动和控制器设计，提供高压保护和高电流输出。
- 电动汽车: 适合用于电池管理系统和电动机驱动的高效控制。
- 变频器: 在各种工业应用中对电机变频控制提供支持，提升能效。
总结
STW13NK100Z 是一款性能卓越、功能丰富的 N 沟道 MOSFET，它凭借其高额的电压、电流处理能力和低导通电阻，适合于苛刻的电气环境，具有极高的应用价值。无论是在电源设计、工业控制还是电动汽车领域，STW13NK100Z 都为现代电子设备提供了理想的解决方案。选择 STW13NK100Z，即是选择了一款高效能、高可靠性的 MOSFET，能够满足未来多变的科技需求。