STS6NF20V
STS6NF20V参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 600mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 40mΩ @ 3A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.5W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.95V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 3A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 600mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 11.5nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 460pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 2.5W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
STS6NF20V手册
STS6NF20V概述
STS6NF20V 产品概述
一、产品概述
STS6NF20V 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），具有出色的电气特性和热性能，适用于多种电子应用。此器件在功率管理、开关电源、高效照明和马达驱动等领域展现出优越的性能。其设计和制造过程确保了卓越的可靠性和长期稳定性。
二、基本参数
- 漏源电压（Vdss）： 20V
- 连续漏极电流（Id）： 6A（在 25°C 时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 600mV @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds On）： 40mΩ @ 3A, 4.5V
- 最大功率耗散（Pd）： 2.5W（在 Tc 条件下）
- 最大驱动电压（Vgs）： ±12V
- 工作温度范围： 限制在 -55°C 至 150°C
- 封装类型： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
三、电气特性
STS6NF20V 的漏源电压为 20V，适合于低电压应用。该器件在 25°C 时的连续漏极电流可达 6A，确保其在不同应用场景下具有足够的电流承载能力。其栅源极阈值电压为 600mV，意味着在低电压下即可驱动元件，并实现良好的开关性能。
漏源导通电阻为 40mΩ，这使得设备在工作时的能效表现优异，降低了发热量，从而提高系统的稳定性。器件的最大功率耗散为 2.5W，这对于相关设计者来说，意味着在合理的散热方案下，该 MOSFET 可以在高负载情况下运行。
四、应用场景
STS6NF20V 的设计使其适用于多种应用，包括但不限于：
- DC-DC 转换器： 用于电源管理，帮助降低开关损耗。
- 马达驱动： 在电机控制和驱动应用中，提供高效的开关性能。
- 照明控制： 可以用于 LED 驱动和闪光灯等照明应用，提供稳定的电流调节。
- 线性电源和开关电源：作为开关元件用于电源的不同部分。
五、热性能
该 MOSFET 的工作温度范围高达 150°C，显示了其在严苛环境下的运行能力。使用合适的散热设计，STS6NF20V 能够有效地散热，保持其性能不受影响。这一特性在电机控制和高能量密度开关电源等高负荷应用中特别重要。
六、封装与安装
STS6NF20V 采用表面贴装型封装（SO-8），这使得其适合于现代电子设备的紧凑设计，提高了PCB的空间利用率。SO-8 封装还提供了优秀的散热性能，帮助器件在高功率下维持稳定工作。
七、总结
STS6NF20V 是一款先进的 N 沟道 MOSFET，凭借其优异的电气特性、热性能和多样的应用场景，无疑是设计师在低电压高电流应用中的理想选择。其凭借意法半导体强大的技术背景和可靠的产品质量，定能满足客户在各种高效能电源和控制应用中的需求。无论是在电源管理、马达驱动还是高效照明等领域，STS6NF20V 都是一款值得信赖的选择。