STP36NF06
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
通孔-N-通道-60V-30A（Tc）-70W（Tc）-TO-220AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.2按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.2
--
50+
￥1.7
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP36NF06参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 60V | 安装类型 | 通孔(THT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 40 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 31nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 690pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
STP36NF06手册
STP36NF06概述
产品概述：STP36NF06 N沟道MOSFET
一、基本信息
STP36NF06是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用TO-220-3封装，专为高效电源管理及开关应用设计。该器件具有优良的电气特性，能够在高电流和高电压条件下稳定工作，适用于各种电子设备和电路设计中。
二、主要参数
- 封装与安装类型：该MOSFET采用TO-220AB封装，支持通孔安装（THT），便于PCB设计与散热管理。
- 漏源极电压（Vdss）：可以承受高达60V的漏源极电压，适合多种中等电压应用。
- 电流规格：在25°C的环境温度下，连续漏极电流可达30A（Tc），使其在负载变化较大的场景中表现出色。
- 导通电阻（Rds(on)）：在10V的栅极驱动电压下，当漏极电流为15A时，导通电阻最大为40毫欧，这保证了器件在导通状态下的低功耗和高效率。
- 门极阈值电压（Vgs(th)）：该参数最大为4V（@ 250µA），确保在较低的驱动电压下能够迅速导通。
- 门极电荷（Qg）：在10V的Vgs下，门极电荷最大为31nC，说明其在开关速度方面具有良好的性能。
- 输入电容（Ciss）：在25V的Vds下，其输入电容最大为690pF，有助于提高开关频率。
- 功率耗散：最大功率耗散为70W（Tc），充分满足高功率应用的需求。
- 工作温度范围：STP36NF06的工作温度范围广泛，从-55°C到175°C，能够适应恶劣环境中的应用。
三、应用领域
STP36NF06的高性能参数使其适用于多个领域，包括：
- 电源管理电路：广泛应用于DC-DC转换器、稳压电源以及开关电源等电力转换设备中。
- 马达驱动：适合用于电机驱动电路，比如直流电机或步进电机的控制。
- 电池管理系统：能在电动汽车或储能设备中，实现高效的电池充放电控制。
- 智能家居设备：用于各类家电的电源调节和节能控制。
四、性能优势
- 低导通电阻：有效减少开关损耗，提高工作效率，降低热量生成，提升元件的可靠性。
- 宽工作温度范围：适合多种极端环境条件下使用，为设计师提供更大的灵活性。
- 优越的开关特性：快速的开关响应能够在高频操作中保持稳定性，适合现代高频设备的需求。
- 强大的耐压能力：高达60V的漏源极电压提升其应用的适用性，扩大了市场应用范围。
五、总结
STP36NF06凭借其出色的电气特性、灵活的封装设计和广泛的适用范围，成为了电源管理及控制系统中的理想选择。这款N沟道MOSFET的设计不仅优化了功率转换效率，还提供了更高的热管理能力，是现代电路设计中的重要元件之一。无论是在工业、消费电子还是汽车电子领域，STP36NF06都有着不可或缺的价值。