STP24NF10
STP24NF10参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 100V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 26A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 12A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 41nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 870pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 85W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220AB |
STP24NF10手册
STP24NF10概述
STP24NF10 产品概述
STP24NF10 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET，采用 TO-220-3 封装，适合各类电力电子应用。凭借其卓越的电气特性和耐高温性能，STP24NF10 是高效开关电源、直流-直流转换器、电机驱动和其他功率管理系统的理想选择。
主要特点
电压和电流能力： STP24NF10 的漏源极电压（Vdss）为 100V，连续漏极电流（Id）高达 26A（在额定的芯片温度 Tc 下）。这种设计使其能够承受高电压和较大电流，适用于大量功率需求的应用，提供了良好的电力处理能力。
导通电阻： 在 Vgs 为 10V（栅源电压）时，STP24NF10 的最大导通电阻（Rds(on)）为 60 毫欧，这在进行开关操作时能够极大地降低功耗，提高整体系统效率。此特性在高频开关应用中显得尤为重要，能减少不必要的能量损耗，提升热管理。
栅极驱动特性： 该 MOSFET 在不同的 Id 和 Vgs 条件下具有优良的栅极电荷特性。在 Vgs 为 10V 时，其最大栅极电荷（Qg）为 41 nC。这种低栅极电荷的特性允许更高的开关频率，适合需要快速开关控制的应用场合，如开关电源和其他高频电子电路。
热管理能力： STP24NF10 最大功率耗散为 85W，适合高功率应用。其工作的温度范围广泛，从 -55°C 到 175°C，确保在苛刻环境下的可靠运行。这种极高的耐温性能使得该元件能够在高温工业环境或极端气候条件下稳定使用。
封装和安装： 采用 TO-220-3 型封装，STP24NF10 适合通孔安装（THT），便于在不同的电路板和设备中集成。TO-220 封装提供良好的散热性能和施工便利，特别适合需要更高散热效率的场合。
应用领域
STP24NF10 广泛应用于诸如：
- 开关电源：适合作为功率开关元件，允许实现高效率的能量转换。
- 电机驱动：能够在高饱和电流下稳定工作，适合用于电动机的控制和驱动电路。
- 直流-直流转换：尤其是在需要善用空间和考虑散热的应用中，STP24NF10 提供了一种在高压和高能耗环境中运行的有效方案。
- 工业控制：在许多工业自动化和控制应用中，STP24NF10 提供必要的电流和电压规格，以满足设备所需的电源要求。
总结
STP24NF10 是一款高度集成的 N 沟道 MOSFET，结合高电压、高电流能力及良好的热性能，使其成为众多电力电子设计的俊雄。在现代电子技术不断发展和应用日益广泛的背景下，STP24NF10 提供了可靠的解决方案，助力各类电气设备实现高效能与高可靠性的设计需求，的确是电力电子工程师桌上的一颗明星元件。无论是在专业领域的高档次应用还是在普通民用设备中，STP24NF10 都展现出了它的广泛适用性和极高的性价比。