STP140N8F7
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 200W 80V 90A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
10.22按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥10.22
--
100+
￥8.67
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP140N8F7参数
| 封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 80V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 80V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.3 毫欧 @ 45A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 96nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 6340pF @ 40V | 功率耗散（最大值） | 200W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220 |
STP140N8F7手册
STP140N8F7概述
STP140N8F7 产品概述
STP140N8F7 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 沟道 MOSFET，它采用了 TO-220-3 封装，具备卓越的电气性能和热特性，特别适用于高功率应用。此元件在多个行业中展现出优越的可靠性和效率，广泛应用于电源管理、马达驱动、逆变器、模块式电源和其他高功率产品。
主要参数
- 封装类型: TO-220-3
- 漏源极电压 (Vdss): 80V
- 连续漏极电流 (Id): 90A（在 25°C 的情况下）
- 栅源电压 (Vgss): ±20V
- 最大功率耗散: 200W（在 Tc 下）
- 导通电阻 (Rds On): 最大值 4.3 毫欧 @ 45A，10V Vgs
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大值 4.5V @ 250µA
- 输入电容 (Ciss): 最大值 6340pF @ 40V
- 栅极电荷 (Qg): 最大值 96nC @ 10V
- 工作温度范围: -55°C ~ 175°C
结构和设计
该 MOSFET 采用现代化的制造工艺，具有突出的高频性能和低通态损耗。这使得 STP140N8F7 在开关模式电源、DC-DC 转换器等应用中极具优势。同时，TO-220 封装提供了良好的热管理性能，适合需要连接散热器的高功率电路设计。
性能优势
- 高温度范围: 可在极端工作温度下正常运行，从 -55°C 到 175°C，为各种应用场合提供了良好的适用性。
- 高功率处理能力: 最高可达 200W 的功率耗散能力，适合高功率应用，尤其是在需要较高电流的环境下表现出色。
- 低导通电阻: 4.3 毫欧的导通电阻使得其在工作时的热量产生更少，提升了整体系统的效率。
- 快速开关特性: 较低的栅极电荷和输入电容使得 STP140N8F7 在高频开关应用中表现优异，能够减少开关损耗。
应用领域
STP140N8F7 在许多领域都有广泛的应用，包括：
- 电源管理: 如开关电源、 DC-DC 转换器，能够有效地管理高功率输出。
- 马达驱动: 在各类电动机驱动器中，能够提供高效能的驱动解决方案。
- 逆变器: 在太阳能逆变器和其他变换设备中，提供可靠的能源转化。
- 汽车电子: 适合用于耐高温和高功率负载的汽车系统。
结论
STP140N8F7 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET，其高电压、高电流和优异的热管理特性使其成为各种高效电源设计中的理想选择。凭借其可靠性和高效性，STP140N8F7 为设计工程师提供了灵活性和高效能，是实现动力管理和电力转换的理想解决方案。无论是在工业、汽车还是消费电子领域，STP140N8F7 都能够满足严苛的电气性能需求，助力设计师实现他们的创新目标。