安装类型 | 通孔 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 80A |
栅极电荷 | 210nC | 输入类型 | 标准 |
IGBT 类型 | 沟槽型场截止 | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 650V |
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) | 2V @ 15V,40A | 电流 - 集电极脉冲 (Icm) | 160A |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 开关能量 | 498µJ(开),363µJ(关) |
测试条件 | 400V,40A,5 欧姆,15V | 功率 - 最大值 | 283W |
25°C 时 Td(开/关)值 | 40ns/142ns | 反向恢复时间 (trr) | 62ns |
STGWT40H65DFB 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件采用沟槽型场截止设计,能够在高压、高电流和广泛的工作温度范围内稳定运行。其主要应用于高效能电力电子设备,例如逆变器、电动机驱动和其他需要高效率和高可靠性的电子控制系统。
STGWT40H65DFB 的主要技术规格包括:
开关行为是IGBT的重要性能指标。STGWT40H65DFB 的开关特性如下:
STGWT40H65DFB 的反向恢复时间(trr)为62ns,意味着在开关操作中,其反向恢复特性良好,这对于高频开关应用尤其重要。这种特性有利于减少电磁干扰,改善电能质量。
由于其卓越的性能,STGWT40H65DFB 被广泛应用于以下几种领域:
STGWT40H65DFB 采用TO-3P封装,采用通孔安装方式,便于在电子电路板上集成和焊接。这种封装设计有助于提高散热性能,延长器件的使用寿命。
STGWT40H65DFB IGBT 模块是一款具备高集电极电流和高击穿电压的高性能器件,适合各种高功率应用。其优越的开关特性、广泛的工作温度范围以及优秀的能量效率,使其在电力电子领域具有广泛的应用前景。在选择高效能电力电子器件时,STGWT40H65DFB 绝对是一个值得考虑的选择。