STGWT40H65DFB 产品实物图片
STGWT40H65DFB 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STGWT40H65DFB

商品编码: BM0000284109
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-3P
包装 : 
管装
重量 : 
1g
描述 : 
IGBT-沟槽型场截止-650V-80A-283W-通孔-TO-3P
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
9.54
按整 :
管(1管有300个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥9.54
--
10+
¥7.96
--
6000+
产品参数
产品手册
产品概述

STGWT40H65DFB参数

安装类型通孔电流 - 集电极 (Ic)(最大值)80A
栅极电荷210nC输入类型标准
IGBT 类型沟槽型场截止电压 - 集射极击穿(最大值)650V
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)2V @ 15V,40A电流 - 集电极脉冲 (Icm)160A
工作温度-55°C ~ 175°C(TJ)开关能量498µJ(开),363µJ(关)
测试条件400V,40A,5 欧姆,15V功率 - 最大值283W
25°C 时 Td(开/关)值40ns/142ns反向恢复时间 (trr)62ns

STGWT40H65DFB手册

STGWT40H65DFB概述

产品概述:STGWT40H65DFB IGBT 模块

1. 基本介绍

STGWT40H65DFB 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该器件采用沟槽型场截止设计,能够在高压、高电流和广泛的工作温度范围内稳定运行。其主要应用于高效能电力电子设备,例如逆变器、电动机驱动和其他需要高效率和高可靠性的电子控制系统。

2. 性能参数

STGWT40H65DFB 的主要技术规格包括:

  • 最大集电极电流(Ic):80A,这意味着该器件能够处理高达80安培的电流,适用于高功率应用。
  • 集射极击穿电压(Vce(max)):650V,提供优越的耐压性能,符合诸多电力电子应用要求。
  • 功率最大值:283W,这样的功率处理能力使其成为高负载场景的理想选择。
  • 工作温度范围:-55°C 到 175°C(TJ),使器件能够在极端环境下稳定工作,适合多种工业和商业应用。

3. 开关特性

开关行为是IGBT的重要性能指标。STGWT40H65DFB 的开关特性如下:

  • 栅极电荷:210nC,较低的栅极电荷意味着在驱动电路中所需的驱动功率较少,从而提高了系统的整体效率。
  • 开/关开关能量:在400V电压、40A电流和5Ω负载的情况下,开关能量分别为498μJ(开)和363μJ(关)。这些参数表明,该器件在控制开关时具有优越的能量效率。
  • 开/关延迟时间(Td):40ns(开)/142ns(关),在快速开关应用中,这样的切换时间表现出色,有助于提高整个电路的响应速度。

4. 反向恢复特性

STGWT40H65DFB 的反向恢复时间(trr)为62ns,意味着在开关操作中,其反向恢复特性良好,这对于高频开关应用尤其重要。这种特性有利于减少电磁干扰,改善电能质量。

5. 应用领域

由于其卓越的性能,STGWT40H65DFB 被广泛应用于以下几种领域:

  • 逆变器:用于太阳能逆变器和其他类型的电源转换器,能有效提高系统效率。
  • 电动机驱动:在电动机控制应用中,提供高效能和稳定性。
  • 电力电子变换:可用于各种电力转换系统,如变频器和直流-直流变换器。
  • 工业自动化:适用于各类自动化设备,如焊接机和输送带驱动系统。

6. 封装和安装

STGWT40H65DFB 采用TO-3P封装,采用通孔安装方式,便于在电子电路板上集成和焊接。这种封装设计有助于提高散热性能,延长器件的使用寿命。

7. 总结

STGWT40H65DFB IGBT 模块是一款具备高集电极电流和高击穿电压的高性能器件,适合各种高功率应用。其优越的开关特性、广泛的工作温度范围以及优秀的能量效率,使其在电力电子领域具有广泛的应用前景。在选择高效能电力电子器件时,STGWT40H65DFB 绝对是一个值得考虑的选择。