STFW3N150
STFW3N150参数
| 漏源电压（Vdss） | 1500V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.5A |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 9Ω @ 1.3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 63W | 类型 | N沟道 |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29.3nC @ 10V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Tc） |
| Vgs（最大值） | ±30V | 安装类型 | 通孔 |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| FET 类型 | N 通道 | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 939pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 63W（Tc） | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 9 欧姆 @ 1.3A，10V |
| 供应商器件封装 | ISOWATT-218FX | 封装/外壳 | ISOWATT218FX |
STFW3N150手册
STFW3N150概述
STFW3N150 产品概述
一、基本信息
STFW3N150 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高电压，低功耗的N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）。此器件具有出色的电气特性和广泛的应用领域，特别适合高压开关和功率转换电路。它的主要参数包括漏源电压（Vdss）为1500V，连续漏极电流（Id）在25°C时为2.5A，以及最大功率耗散63W。
二、电气特性
漏源电压（Vdss）: STFW3N150 的最大漏源电压达到了1500V，这使其能够在高压应用中工作而不会出现故障，适合用于电力电子设备中。
连续漏极电流（Id）: 在25°C环境温度下，STFW3N150 的连续漏极电流为2.5A，这一特性使其可以承受一定的负载而保持稳定运行。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 该器件的栅源阈值电压为5V，在250µA的栅源电流下，适用于控制信号电压为5V的电路。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 在10V栅源电压和1.3A漏极电流下，漏源导通电阻为9Ω。这一特性对于降低功率损耗和提高转换效率至关重要。
最大功率耗散: 该组件的热设计功率耗散为63W，确保在高负载情况下也能有效散热。
驱动电压: STHFW3N150 的最小和最大驱动电压保持在10V，使其能够高效地驱动大多数电路。
工作温度范围: 它的工作温度可以达到150°C（TJ），适合在高温环境中运行。
栅极电荷（Qg）: 在10V驱动下，栅极电荷为29.3nC。这一低电荷特性有助于降低开关损失，提高开关频率。
输入电容（Ciss）: 在25V下的输入电容为939pF。较小的输入电容使驱动电路设计更为简单。
三、封装和安装
STFW3N150 采用TO-3PF封装，安装类型为通孔，这种设计使得散热性能优越，适合各种电路板。TO-3PF封装为器件提供了良好的机械强度和电气性能，同时也能有效地分散产生的热量。
四、应用领域
STFW3N150 在多个领域具有广泛的应用潜力，尤其是在以下几个方面：
开关电源: 高压应用中，MOSFET能够在开关过程中保持高效率，降低热量。
电机驱动: 尤其是在电动车及工业应用中，能够实现高效能的电机控制。
电源管理: 适用于电源适配器，UPS（不间断电源）和其他电源管理设备。
高压电器: 在高压电器设备中，能够提供可靠的开关和控制功能。
五、总结
STFW3N150 MOSFET 是一款设计周到、功能强大的器件，具备1500V的高压能力和低导通电阻，使其在高压、高功率应用中表现出色。凭借其优越的电气特性和机械稳定性，STFW3N150 适合用于各种先进的电源应用和电力电子设备。这款产品不仅提高了设计的灵活性和性能，而且有助于降低系统的整体功耗，是当今高效电源设计中的理想选择。