STF6N65K3
STF6N65K3参数
| 漏源电压（Vdss） | 650V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.4A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 1.3Ω @ 2.8A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.3 欧姆 @ 2.8A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 35nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 880pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF6N65K3手册
STF6N65K3概述
产品概述：STF6N65K3 N沟道MOSFET
产品简介
STF6N65K3是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道MOSFET，适用于各种高压和高功率应用。该基于金属氧化物的场效应管（MOSFET）封装为TO-220-3，具有卓越的电气特性和热性能，非常适合在严苛的工业和消费类电子产品中使用。
核心参数
- 漏源电压（Vdss）: 650V
- 连续漏极电流（Id）: 5.4A (Tc)
- 栅源极阈值电压（Vgs(th）: 4.5V @ 50µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.3Ω @ 2.8A, 10V
- 最大功率耗散: 30W (Ta=25°C)
- 工作温度范围: 高达150°C (TJ)
性能特点
高电压和电流能力
STF6N65K3的最大漏源电压为650V，足以满足多种高压应用需求。其在25°C环境温度下的连续漏极电流为5.4A，使其成为高效电力转换和驱动电机的理想选择。低导通电阻
该器件在2.8A、10V条件下的导通电阻为1.3Ω，意味着在工作时的能量损耗较小，进而提高系统的整体效率，特别适合高功率应用场合。广泛的驱动电压范围
STF6N65K3设计的驱动电压(max Rds On, min Rds On)为10V，在保证高效开关的同时，也确保了电路的兼容性和灵活性。低栅极电荷与输入电容
在10V的栅压下，栅极电荷（Qg）最大值为35nC，输入电容（Ciss）为880pF @ 50V，降低了驱动电路所需的功耗，提升了开关速度。优越的热管理能力
该MOSFET的最大功率耗散为30W，使其能够在较高温度条件下稳定工作，配合其封装设计，便于散热，有效降低了器件的工作温升。
应用场景
STF6N65K3广泛应用于以下领域：
开关电源
由于其高电压和高电流处理能力，适合作为开关电源中的主开关元件，提高能源转换效率。电机驱动
可用于直流电机和步进电机的驱动电路，提供强大的启动和保护功能，以应对启动电流和负载变化。电力转换器
在逆变器和整流器等应用中，可以用作高压开关，经过适当的电路设计后，也可用于高频开关操作。LED驱动
在LED驱动电源中，能有效控制电流，确保LED工作在安全范围内，提高其使用寿命。
总结
STF6N65K3 N沟道MOSFET凭借其出色的电气特性、坚固的封装设计及较高的工作温度范围，成为高压、高效率应用中的理想选择。其在节能、高功率转换和电机驱动等方面的卓越表现，使其在现代电子产品中具有广泛的适用性。工程师和设计人员可依此元件实现更多创新应用，进一步推动电子设备向更高的性能和效率发展。