STF24N60M2
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
2.46g
描述 :
场效应管(MOSFET) 30W 600V 18A 1个N沟道 TO-220FP
库存 :
19699(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
4.45按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.45
--
100+
￥3.56
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STF24N60M2参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 18A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 190mΩ @ 9A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18A（Tc） | Vgs（最大值） | ±25V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 29nC @ 10V |
| 安装类型 | 通孔 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| FET 类型 | N 通道 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 190 毫欧 @ 9A，10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1060pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 供应商器件封装 | TO-220FP | 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STF24N60M2手册
STF24N60M2概述
STF24N60M2 MOSFET 产品概述
基本信息
STF24N60M2 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。它设计用于高压和高电流的应用场合，具备优异的电气特性，适合多种电力电子和开关电源系统。
主要参数
- 漏源电压 (Vdss): 600V
- 连续漏极电流 (Id): 18A (在 25°C 环境温度下)
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA
- 导通电阻 (Rds(on)): 在 9A 和 10V 下，最大值为 190 mΩ
- 最大功率耗散: 30W (在 25°C 环境温度下)
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
- 驱动电压: 10V（最大 Rds On，最小 Rds On）
- 栅极电荷 (Qg): 最大值 29nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大值 1060pF @ 100V
封装与安装
STF24N60M2 采用 TO-220-3 整包封装，适合通孔安装。这种封装方式不仅便于散热，还能有效减少电路板空间的占用，适合高功率应用。
应用场景
STF24N60M2 MOSFET 在各种高压、高电流应用中表现出色，常用于以下几种场景：
- 开关电源（SMPS）
- 日光灯驱动和其他照明应用
- 电机驱动和控制系统
- UPS（不间断电源）系统
- 电源管理和电源转换器
性能优势
STF24N60M2 的设计针对高效能而优化，其低导通电阻(Rds(on))在提供高电流通路时，有助于降低功率损耗和提高散热效率。这使得该 MOSFET 在高频率工作的开关电源和其他电子设备中表现优异。额外的较宽工作温度范围（-55°C 到 150°C）使该器件在恶劣环境条件下依然能够稳定工作。
竞争力分析
相比于市场上的其他同类产品，STF24N60M2 的高 Vdss 和 Id 指标为其在高压电路中提供了竞争优势。其较低的导通电阻和优异的热管理能力使其成为开发高效率电源方案的理想选择。
结语
STF24N60M2 MOSFET 凭借其出色的性能参数和广泛的应用适用性，成为当代高压电源设计师的优选部件之一。无论是在高效开关电源、电机驱动还是其他需要高电流的应用中，STF24N60M2 都能够提供可靠的解决方案，为电子设计师在实现高效能、低功耗的电源设计中提供重要的支持。通过使用这款 MOSFET，能够有效提升产品的整体性能和稳定性，是追求高效能电源解决方案的设计师们不可或缺的元件之一。