STF10N62K3
STF10N62K3参数
| 封装/外壳 | TO-220-3整包 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 620V | 安装类型 | 通孔(THT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 620V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 750 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1250pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
STF10N62K3手册
STF10N62K3概述
STF10N62K3 产品概述
STF10N62K3是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能N通道绝缘栅场效应管（MOSFET），它在电源管理、DC-DC 转换器、开关电源和电动机驱动等应用中具有广泛的应用前景。该器件采用TO-220-3封装，适合通过通孔技术(THT)进行集成与焊接，提供了方便的安装和优良的散热性能。
主要特性
高电压运作能力
STF10N62K3的漏源极电压（Vdss）高达620V，能够承受较高电压的环境，适用于高压电源应用。这种能力使得该MOSFET适合在电源转换器和相关应用中使用，无论是消费类电子还是工业设备。良好的电流传导性能
在25°C的工作环境下，该器件的最大连续漏极电流（Id）达到8.4A，进一步提高了其在高电流传导和控制场景中的应用潜力。这使得STF10N62K3能够支持多种负载运行，如电动机驱动与LED驱动等。优异的导通电阻
在Vgs为10V和Id为4A的条件下，STF10N62K3的最大导通电阻（Rds On）为750毫欧。这一特性显著降低了在高频开关操作时的功率损耗，提高了整体设备的能效。良好的温度范围
该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，确保在极端环境条件下仍能稳定运行。这对于在高温或极恶劣条件下运行的设备尤为重要，确保其可靠性与耐久性。人性化的栅极驱动设计
STF10N62K3在栅极驱动电压达到10V时，其栅极电荷（Qg）最大值为42nC，这一特性使得在高频开关和PWM（脉宽调制）控制应用中具有优秀的响应速度。输入与输出特性
在150V的漏源极电压下，其输入电容（Ciss）最大值为1250pF，适合大多数应用的输入驱动需求。此外，它的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大值为4.5V，使得在多种微控制器和驱动信号条件下均能正常工作。
应用场景
STF10N62K3的设计使其适合各种电源与驱动应用：
- 开关电源（SMPS）：由于其高电压和电流能力，可以有效地用于AC-DC或DC-DC转换器中。
- 电机驱动：尤其适用于高压直流电机驱动和无刷直流电机控制。
- 功率放大器：在无源元件中作为开关使用，以提高功率转换的效率。
- LED驱动器：在LED照明行业，通过精准的控制实现高效的照明设计。
总结
STF10N62K3是一款极具吸引力的N通道MOSFET，凭借其高压、高电流能力及出色的导通特性，能够满足多种严苛的工业和消费电子应用的需求。其宽广的工作温度范围和低功耗特性使产品在当今对高可靠性与高效率电源解决方案的需求中脱颖而出，是工程师们在设计电源模块、驱动电机或其他高性能电路时值得考虑的重要元器件。