STD6NF10T4
STD6NF10T4参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 250mΩ @ 3A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 250 毫欧 @ 3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 14nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 280pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 30W（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD6NF10T4手册
STD6NF10T4概述
STD6NF10T4 产品概述
产品简介
STD6NF10T4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计旨在满足高效能和高可靠性的电源开关及电机驱动应用。这款 MOSFET 的主要参数包括 100V 的漏源电压 (Vdss) 和 6A 的连续漏极电流 (Id)，使其在功率电子领域广泛应用。
主要技术规格
漏源电压 (Vdss): 该器件具有高达 100V 的漏源电压，这使得它能够在高电压电路中安全操作，适合用于电源转换器、逆变器等高压应用。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，STD6NF10T4 可支持的最大连续漏极电流为 6A，这意味着它能处理较高电流负载，适合用于中等功率的设备中。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 典型值为 4V @ 250µA。这一特性保证了 MOSFET 在相对低的栅压下便能开启，适合要求迅速切换的电路。
导通电阻 (Rds(on)): 最大值为 250mΩ @ 3A，10V。这一低导通电阻特性实现了较低的功率损耗，进而提高了整体电源转换效率。
最大功率耗散 (Pd): 在环境温度 25°C 时，最大功率耗散为 30W，这意味着该 MOSFET 能够有效散热，适合高功率应用。
工作温度范围: 器件在 -65°C 至 175°C 的工作温度范围内稳定运行，适合极端环境下的应用。
封装与接口: STD6NF10T4 采用 DPAK 封装形式，这种表面贴装型的设计有助于在自动化组装中实现高密度的PCB设计，并且简化了安装过程。
电容及电荷特性: 输入电容 (Ciss) 最大值为 280pF @ 25V，栅极电荷 (Qg) 最大值为 14nC @ 10V，表明在驱动电路时会有较低的开关损耗，适用于快速开关应用。
应用领域
STD6NF10T4 适用于广泛的应用场景，包括但不限于：
- DC-DC 转换器: 适用于高效率的电源模块，特别是需要快速切换的场景。
- 电机驱动: 在电动工具、家电及工业自动化等应用中，确保高效且稳定的电流管理。
- 电源管理和分配: 可应用于各种消费电子产品及设备的电源管理系统中。
- 逆变器: 在太阳能逆变器及其他能源转换系统中的关键开关元件。
- 汽车电子: 尤其是电驱动、混合动力及高压系统中的重要组件。
结论
STD6NF10T4 是一款性能优越的 N 沟道 MOSFET，结合了高压、高电流能力和优秀的开关性能，适合于多种高效能电源及驱动应用。其优异的散热性能和广泛的工作温度范围，使其成为工业和汽车电子领域的理想选择。意法半导体的这款产品在电源管理的未来将会继续发挥重要作用，为设计人员提供可靠的解决方案。