STD4NK80ZT4
STD4NK80ZT4参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 3.5Ω @ 1.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 80W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.5 欧姆 @ 1.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 22.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 575pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 80W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD4NK80ZT4手册
STD4NK80ZT4概述
STD4NK80ZT4 产品概述
产品名称: STD4NK80ZT4
类型: N沟道MOSFET
封装: DPAK (TO-252-3)
品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
一、基本参数
STD4NK80ZT4是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其具有优异的电气特性和广泛的应用潜力。该器件的主要电气特性包括：
- 漏源电压 (Vdss): 800V
- 连续漏极电流 (Id): 3A（在25°C下的情况下，通常需要考虑散热）
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 4.5V @ 50µA
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 3.5Ω @ 1.5A, 10V
- 最大功率耗散: 80W（在环境温度25°C下）
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
二、应用领域
STD4NK80ZT4的高耐压特性使其在高电压环境中具有良好表现，因此适用于各种电源转换器，包括：
- 开关电源: 由于其良好的导通特性和高值的耐压能力，适合用于AC-DC和DC-DC变换器。
- 电动机驱动: 在电机控制和驱动电路中，尤其是需要高电压和中等电流的应用。
- 工业控制设备: 适合用于工业自动化和控制回路，提升系统效率和可靠性。
- 高频开关: 其较低的栅极电荷（Qg=22.5nC @ 10V）特性使其在高频开关应用中表现优异。
三、电气特性分析
导通电阻（Rds(on)）: 除了其高导电能力，Rds(on)的低值使得在操作状态下的功率损耗得到有效降低，从而减少热量生成，提高系统的整体效率。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V的阈值电压使得STD4NK80ZT4可以采用较低的驱动电压进行有效控制，兼容常见的逻辑电平信号，这在设计中将降低驱动电路的复杂性。
输入电容（Ciss）: Ciss的最大值为575pF @ 25V，反映了该器件快速开关的能力，适合高频操作条件。低电容设计助力系统在高频率下具有更好的响应速度。
温度特性: STD4NK80ZT4的工作温度范围广泛，-55°C至150°C的工作温度允许其在恶劣环境下稳健工作，为高温和低温应用提供了良好的适应性。
四、封装与安装
STD4NK80ZT4使用DPAK封装形式，具有优良的热管理特性。DPAK封装可以提供较好的散热性能，这对于高功率耗散的MOSFET至关重要。此外，表面贴装设计使得在现代电路板上的安装更加方便，能满足高密度电路板的需求。
五、结论
综上所述，STD4NK80ZT4作为一款800V, 3A的N沟道MOSFET，凭借其卓越的电气特性和适应广泛应用场景的能力，为现代电力电子技术提供了一种有效的解决方案。它不仅适用于要求高性能与高效率的开关电源和电机驱动，还能在各种工业控制应用中展现出色的可靠性和稳定性。选择STD4NK80ZT4，将为您的项目提供更好的性能保障。