STD4NK60ZT4
STD4NK60ZT4参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 2Ω @ 2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 70W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 26nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 510pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD4NK60ZT4手册
STD4NK60ZT4概述
产品概述：STD4NK60ZT4 N沟道MOSFET
简介
STD4NK60ZT4是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），广泛应用于高电压和高电流的开关电路中。其特有的600V漏源电压能力和4A的连续漏极电流，使其成为电源管理、电动机驱动以及逆变器等多个应用场合的重要选择。
主要参数
- 漏源电压（Vdss）: 600V
- 连续漏极电流（Id）: 4A (在25°C环境下，Tc条件)
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 50µA
- 漏源导通电阻（Rds On）: 2Ω @ 2A, 10V
- 最大功率耗散: 70W（在25°C环境下，Tc条件）
- 工作温度: 最高150°C（TJ）
功能特点
高电压耐受性: 600V的漏源电压使得STD4NK60ZT4能够在高电压应用中稳定工作，对于电源转换及电动机驱动等高强度环境尤为适用。
高效率控制: 其导通电阻为2Ω（在2A电流条件下）使得在正常工作期间的功耗得到有效控制，从而提高了整个电路的能源利用率。
可靠的热表现: 最大功率耗散达到70W，该器件能够在更高功率条件下工作，且不易过热，延长了器件和整个电路的使用寿命。
适应广泛驱动电压: 最小栅电压为10V能够保证MOSFET的良好导通，而最大栅电压可承受±30V，为设计提供了灵活性。
表面贴装的设计: 采用DPAK（TO-252-3）封装类型，特别设计用于简化安装过程，便于自动化贴装。
应用领域
由于其高电压耐受能力和低导通损耗，STD4NK60ZT4广泛应用于许多领域：
电源管理: 由于其高功率和高效率，很多电源供应器设计中都采用此MOSFET，包括开关电源和线性电源。
电动机控制: 在电动机驱动器中，表示当前和电压的切换非常高效，为各类工业和家电的电动机提供理想的控制解决方案。
逆变器设计: 该MOSFET广泛应用于逆变器电路中，为将直流转换为交流提供高效的切换能力，适用于太阳能逆变器或电池储能系统。
LED驱动: 在LED照明系统中，能够提供稳定控制电流，确保优质的光效输出。
总结
STD4NK60ZT4 N沟道MOSFET凭借其高耐压、低导通电阻和强大的能量处理能力，是各类高性能应用中的理想解决方案。无论是在电源供应、可再生能源逆变器，还是电动机控制方面，都能提供优越的性能，满足现代电子电气设计日益严苛的要求。随着科技逐步进步，期待其在新兴领域中的潜力应用。