注：图像仅供参考，请参阅产品规格
STD45NF75T4
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 125W 75V 40A 1个N沟道 DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
5.72按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥5.72
--
100+
￥4.77
--
1250+
￥4.33
--
2500+
￥4.01
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
STD45NF75T4参数
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2引线+接片），SC-63 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 75V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 75V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 24 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 80nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1760pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 供应商器件封装 | DPAK |
STD45NF75T4手册
无数据
STD45NF75T4概述
产品概述：STD45NF75T4 N沟道MOSFET
一、产品简介
STD45NF75T4是一款高性能的N沟道MOSFET，专为电源管理和高效能电路应用而设计。这款场效应晶体管的封装形式为DPAK (TO-252-3)，其最高漏源极电压为75V，能够承载高达40A的连续漏极电流，适用于各种工业和消费电子领域，显示出良好的散热性能和极低的导通电阻。
二、关键参数
封装特性： STD45NF75T4采用表面贴装(DPAK)封装，方便与其他电路元件进行紧凑配置。这种封装设计提供了更好的散热性能，适合高功率应用。
电气参数：
- 漏源极电压 (Vdss): 75V
- 栅源电压 (Vgss): ±20V
- 连续漏极电流 (Id): 40A（在60°C的环境条件下保持相对较低的温度，确保器件稳定性）
- 导通电阻 (Rds(on)): 24mΩ @ 20A, 10V，使得在开关状态时能量损耗极低。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 4V @ 250µA，允许在相对低电压下迅速开启。
电特性：
- 栅极电荷 (Qg): 80nC @ 10V，确保器件能够快速开关，适用于高频应用。
- 输入电容 (Ciss): 1760pF @ 25V，配合低导通电阻，提升了设备的开关速度。
- 功率耗散 (Pd): 最大125W，能够在高功率条件下稳定工作。
工作温度范围：
- STD45NF75T4具有广泛的工作温度范围，从-55°C到175°C，适应苛刻环境并确保长期稳定的工作表现。
三、应用领域
STD45NF75T4广泛应用于：
- 电源管理：高频DC-DC转换器，特別是用于计算机和工业设备中的高效电源供应。
- 马达驱动：用于电动机控制和驱动器中，以实现更高的效率和安全性。
- 开关电源：在各种便携式设备和家电中，提升功率转换效率，降低电能损耗。
- 照明设备：在LED驱动电路中，提供稳定的电流输出，提升光源效率和延长使用寿命。
四、总结
STD45NF75T4 N沟道MOSFET的设计意图是为用户提供一个高效、可靠的电子开关解决方案。在现代电力需求日益增长的背景下，该MOSFET不仅满足了对高电流和高电压的要求，同时通过其优越的散热和高频性能，为多种电源管理和控制应用提供了理想的选择。无论是在消费电子、工业自动化，还是在新兴的电动汽车及再生能源领域，STD45NF75T4都展现出其卓越的价值。选择STD45NF75T4，可以为电子设计带来效率、可靠性及卓越性能的保证，是高性能电路设计的理想合作伙伴。