STD35P6LLF6

STD35P6LLF6 产品概述

一、产品基本信息

STD35P6LLF6 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 P 沟道 MOSFET，其设计专为需要高电流和高效率的应用场合而打造。该产品的封装形式为 DPAK（又称 TO-252-3），适合于表面贴装技术（SMT），使其在电路板上的安装更为方便，同时可有效节省空间。

二、主要特性

1. 高电压和电流能力：

   • 涉及到漏源电压（Vdss）的参数，该 MOSFET 的最大漏源电压为 60V，能够承受较高的工作电压，这对于电源管理和驱动电路提供了可靠保障。同时，连续漏极电流（Id）的最大值达到 35A（在 25°C 环境下，实际情况需考虑散热），使其适用于高功率应用。

2. 出色的导通性能：

   • 漏源导通电阻（Rds(on)）在 17.5A 和 10V 驱动条件下，仅为 28mΩ，说明该器件在导通状态下具有优异的低电阻特性。这不仅减少了电能在传输过程中的损耗，也降低了器件在工作时的发热量，提升了整体效率。

3. 宽广的栅源阈值电压范围：

   • 栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 2.5V @ 250μA，相对较低的阈值电压使得该器件能够在较低的栅极驱动电压下操作，提升了电路设计的灵活性与兼容性。

4. 优良的功率耗散能力：

   • 本器件的最大功率耗散可达 70W（在 Tc = 25°C 的条件下），为其在高频率和高负载环境下的稳定性提供了保障。

5. 高工作温度：

   • STD35P6LLF6 的工作温度范围广泛，最高可达 175°C（TJ），使其能够在相对严苛的环境下持续运行。

三、应用场景

STD35P6LLF6 特别适用于以下几种应用场合：

• 电源管理：在开关电源、 DC-DC 转换器等需要较高电流的电源管理模块中，可以作为功率开关使用，具备良好的高效性和可靠性。
• 电动机驱动：在直流电动机或步进电机的驱动电路中，能够提供强大的电流，满足电动机启动和运行过程中的能量需求。
• LED 驱动：可用于大功率 LED 照明系统的驱动，确保满足高效散热的需求。
• 电池管理系统：适合用于对电池的充放电控制，确保在高性能情况下的安全性与稳定性。

四、技术参数总结

• 类型: P 沟道 MOSFET
• 封装形式: DPAK (TO-252-3)
• 最大漏源电压（Vdss）: 60V
• 连续漏极电流（Id）: 35A (Tc)
• 导通电阻（Rds(on)）: 28mΩ @ 17.5A，10V
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.5V @ 250μA
• 最大功率耗散: 70W (Tc)
• 工作温度: 最高 175°C (TJ)
• 驱动电压: 4.5V，10V

五、总结

STD35P6LLF6 是一款性能优越、可靠性高的 P 沟道 MOSFET，凭借其出色的电流承载能力和低导通电阻，在多种电子应用中均体现了其价值。设计工程师在考虑电路性能与效率时，将此器件作为一种优良选择，以满足更高的效能和热管理需求。无论是在电源管理、电动机驱动还是 LED 照明等领域，STD35P6LLF6 都展现了其强大的应用潜力。