STD2NK100Z
STD2NK100Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 1000V | 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.85A(Tc) | 漏源导通电阻 | 8.5Ω @ 900mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 70W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.85A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.5 欧姆 @ 900mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 16nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 499pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD2NK100Z手册
STD2NK100Z概述
STD2NK100Z 产品概述
产品概述
STD2NK100Z 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）制造的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管 (MOSFET)，旨在满足高电压和高功率应用的需求。该器件具有广泛的工作温度范围及较高的功率耗散能力，使其适用于各种工业、汽车、和电力转换设备等领域。
主要技术参数
漏源电压 (Vdss): 该 MOSFET 的最大漏源电压可达 1000V，使其能够处理高电压应用。其具备的高电压能力使其在电源变换和高压控制电路中表现出色。
连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，漏极连续电流可达 1.85A，能够满足中等负载需求。这为设计师提供了灵活的选择，特别是在要求较高的电流应用中。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 阈值电压最大值为 4.5V（@50µA），确保该器件能够在较低的驱动电压下可靠启用，降低了整体驱动电路的复杂性。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 在 900mA 的条件下，导通电阻为 8.5Ω（@10V），相对较低的导通电阻减少了能量的损失，提高了电路的效率。
栅极电荷 (Qg): 栅极电荷最大值为 16nC（@10V），这一特性使得激励电路的驱动设计更为简单，降低了开关损耗。
输入电容 (Ciss): 在 25V 时，输入电容为 499pF，较低的输入电容使得性能表现优异，特别是在快速开关应用中。
功率耗散 (Pd): 最大功率耗散为 70W，适合高功率应用，满足温度控制及散热要求。
工作温度范围: 该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应严苛环境，确保器件在高温或者低温条件下均能稳定工作。
封装与安装
STD2NK100Z 采用 DPAK（TO-252-3）表面贴装封装。这种封装形式不仅提高了散热性能，还便于自动化表面贴装生产。DPAK 封装内部具有两引线加接片结构，简化了连接设计，并且适合于高功率和高电流应用场合。
应用场景
由于其卓越的电气性能和高工作温度范围，STD2NK100Z 特别适合用于以下应用：
- 电源管理: 广泛应用于开关电源、逆变器、以及各种电力电子转换器中。
- 汽车电子: 可用于电动车辆的电机驱动、传感器及控制模块中，对于要求高效能和高可靠性的汽车电子系统而言，是一个理想的选择。
- 工业设备: 在不同的工业控制器和自动化设备中，作为开关元件以确保高效能工作。
- 消费电子: 适用于需要高效率和小体积的消费电子产品，如电池管理系统和便携设备。
总结
STD2NK100Z 是一款高压、高效能的 N 沟道 MOSFET，以其卓越的电气性能和宽广的工作温度范围，给设计师提供了极大的灵活性。凭借意法半导体的品牌背景和先进技术，STD2NK100Z 将是众多电源和功率转换应用的理想选择。这款器件的高效、可靠性能，必将推动各类电子系统向更高的性能目标迈进。