STD1NK80ZT4
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
DPAK
包装 :
编带
重量 :
0.524g
描述 :
场效应管(MOSFET) 45W 800V 1A 1个N沟道 DPAK
库存 :
43(起订量1,增量1)
批次 :
5年外数量 :
X
3.64按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.64
--
100+
￥3.03
--
1250+
￥2.76
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
STD1NK80ZT4参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 16Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 45W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 7.7nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 160pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD1NK80ZT4手册
STD1NK80ZT4概述
产品概述：STD1NK80ZT4 N沟道MOSFET
一、基本信息
STD1NK80ZT4是一款高性能的N沟道MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）制造，广泛应用于各种高压和高温环境中的开关电源、DC-DC转换器、逆变器及其他电子设备。其主要电气特性使其成为现代能效和系统可靠性要求不断增加的应用场合的重要组件。
二、核心参数
该MOSFET具有以下关键参数：
- 漏源电压（Vdss）：800V，能够承受较高的工作电压，非常适合高压电源和功率转换应用。
- 连续漏极电流（Id）：1A（25°C时），在正常工作条件下提供稳定的电流传输能力。
- 导通电阻（Rds(on)）：16Ω @ 500mA，10V，在开关电流状态下保持较低的导通电阻，提高能效，减少热量产生。
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）：4.5V @ 50µA，确保在合适的栅电压下能够有效导通，从而增强控制精度。
三、结构与封装
STD1NK80ZT4采用TO-252（DPAK）封装，具有紧凑的结构设计，便于表面贴装，并可针对不同的PCB设计需求。DPAK封装不仅提供了良好的散热性能，还便于在高集成度电路中使用。
四、工作环境
该MOSFET的工作温度范围广泛，从低至-55°C至高达150°C，确保其在极端环境条件下的稳定性和可靠性，非常适合汽车、航空航天及工业控制等严苛条件下的应用。
五、电气特性
- 栅极电荷（Qg）：最大值为7.7nC @ 10V，低栅极电荷特性允许更快的开关速度，从而改善整体电路的效率。
- 输入电容（Ciss）：最大值为160pF @ 25V，适合实现高频率操作，减少开关损耗。
- 驱动电压范围（Vgs）：可承受±30V的栅源电压范围，增加了电路设计的灵活性。
六、应用场景
STD1NK80ZT4广泛用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源：高效地控制电源开关，提升系统性能及能效。
- DC-DC转换器：作为高压输出的转换器关键部件，有效实现电压转换。
- 逆变器：在可再生能源、太阳能和风能系统中，促进直流电向交流电的转换。
- 电机驱动：在电机控制电路中，作为功率开关元件，确保可靠的电机控制。
七、总结
STD1NK80ZT4 N沟道MOSFET以其高电压、高效率和广泛的工作温度范围，成为现代电子设备中非常理想的选择。其高达800V的漏源电压、相对较低的导通电阻以及极佳的热性能，使其在严苛的工作环境中表现卓越，确保在高功率应用中的长期稳定性。意法半导体凭借其领先的技术与质量保证，为用户提供了一款具备高可靠性、性价比优越的电子元器件，适合用于各类高效能的电源解决方案和电力电子系统。
借助STD1NK80ZT4，工程师们可以在设计和实现电路时享有更好的灵活性、无忧的性能与卓越的可靠性，从而在竞争激烈的市场中赢得优势。