STD1NK60T4 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STD1NK60T4

商品编码: BM0000284087
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
DPAK
包装 : 
编带
重量 : 
0.523g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 30W 600V 1A 1个N沟道 DPAK
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
3.22
按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥3.22
--
100+
¥2.47
--
1250+
¥2.16
--
2500+
¥2.03
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述

STD1NK60T4参数

连续漏极电流(Id)(25°C 时)1A(Tc)漏源电压(Vdss)600V
栅源极阈值电压3.7V @ 250uA漏源导通电阻8.5Ω @ 500mA,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)30W(Tc)类型N沟道
FET 类型N 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.5 欧姆 @ 500mA,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)10nC @ 10VVgs(最大值)±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)156pF @ 25V功率耗散(最大值)30W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装DPAK封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

STD1NK60T4手册

STD1NK60T4概述

STD1NK60T4 产品概述

产品简介

STD1NK60T4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)。此款 MOSFET 适用于高电压应用,具有优越的电流处理能力,广泛应用于电源管理、开关电源、逆变器以及各种电力电子设备中。该产品在工业和消费电子领域的设定中表现出色,提供了高效能和可靠性的解决方案。

主要规格

  • 连续漏极电流 (Id):在 25°C 时为 1A (Tc)。
  • 漏源电压 (Vdss):最高可达到 600V,适合高压应用。
  • 栅源极阈值电压 (Vgs(th)):3.7V @ 250µA,确保较低的驱动电压要求。
  • 漏源导通电阻 (Rds(on)):在 500mA、10V 条件下,最大导通电阻为 8.5Ω,显示良好的导电性能。
  • 最大功率耗散 (Pd):在 25°C 工作环境下,最大功率耗散可达 30W (Tc),此特性使其在高负载情况下依然稳定运行。
  • 工作温度范围:从 -55°C 到 150°C,适用于严格的环境条件。

工作原理

MOSFET 是一种控制电子流的半导体器件,利用电场来控制导电通道的形成与消失。STD1NK60T4 采用 N 沟道布局,具有较高的载流能力和更低的导通损失。其工作原理是通过栅极施加适当的电压,使得 MOSFET 导通,从而允许电流从漏极流向源极。通过调节栅极电压,可以精准控制漏极电流。

应用场景

STD1NK60T4 的优越性能使其适用于多种应用场景,包括但不限于:

  1. 开关电源:作为开关元件,适用于各种类型的开关电源设计。

  2. 电动机驱动:在电机控制电路中,MOSFET 的快速开关能力使其成为适合的选择,能够有效控制电机的启动、停止与调速。

  3. 逆变器:在光伏逆变器和变频器中,该 MOSFET 的高电压与电流能力确保系统的高可靠性和效率。

  4. 照明设备:广泛应用于LED照明和其他智能照明控制系统中,利用其优秀的开关特性,优化能耗。

  5. 电池管理系统:在电池充放电管理中,MOSFET 的高功率处理能力能够有效调节充电电流,保护电池正常工作。

封装与散热

STD1NK60T4 使用 DPAK 封装(TO-252-3),该封装设计具有良好的散热性能及安装便利性,适合表面贴装。DPAK 封装的较大接触面积有助于热量的散发,确保器件在高功率应用中的稳定性。

总结

STD1NK60T4 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET,适合高电压大电流的电子设备。无论是在开关电源、逆变器还是电机驱动中,都能够提供优越的性能表现。凭借其优秀的电气特性及广泛的应用场景,该产品成为设计工程师和系统开发者的理想选择。选择 STD1NK60T4,不仅是选择了高性能的半导体器件,更是对设备长期稳定运行的保障。