连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 1A(Tc) | 漏源电压(Vdss) | 600V |
栅源极阈值电压 | 3.7V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 8.5Ω @ 500mA,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 30W(Tc) | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 8.5 欧姆 @ 500mA,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3.7V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 156pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 30W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
产品简介
STD1NK60T4 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)制造的高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)。此款 MOSFET 适用于高电压应用,具有优越的电流处理能力,广泛应用于电源管理、开关电源、逆变器以及各种电力电子设备中。该产品在工业和消费电子领域的设定中表现出色,提供了高效能和可靠性的解决方案。
主要规格
工作原理
MOSFET 是一种控制电子流的半导体器件,利用电场来控制导电通道的形成与消失。STD1NK60T4 采用 N 沟道布局,具有较高的载流能力和更低的导通损失。其工作原理是通过栅极施加适当的电压,使得 MOSFET 导通,从而允许电流从漏极流向源极。通过调节栅极电压,可以精准控制漏极电流。
应用场景
STD1NK60T4 的优越性能使其适用于多种应用场景,包括但不限于:
开关电源:作为开关元件,适用于各种类型的开关电源设计。
电动机驱动:在电机控制电路中,MOSFET 的快速开关能力使其成为适合的选择,能够有效控制电机的启动、停止与调速。
逆变器:在光伏逆变器和变频器中,该 MOSFET 的高电压与电流能力确保系统的高可靠性和效率。
照明设备:广泛应用于LED照明和其他智能照明控制系统中,利用其优秀的开关特性,优化能耗。
电池管理系统:在电池充放电管理中,MOSFET 的高功率处理能力能够有效调节充电电流,保护电池正常工作。
封装与散热
STD1NK60T4 使用 DPAK 封装(TO-252-3),该封装设计具有良好的散热性能及安装便利性,适合表面贴装。DPAK 封装的较大接触面积有助于热量的散发,确保器件在高功率应用中的稳定性。
总结
STD1NK60T4 是一款高效、可靠的 N 沟道 MOSFET,适合高电压大电流的电子设备。无论是在开关电源、逆变器还是电机驱动中,都能够提供优越的性能表现。凭借其优秀的电气特性及广泛的应用场景,该产品成为设计工程师和系统开发者的理想选择。选择 STD1NK60T4,不仅是选择了高性能的半导体器件,更是对设备长期稳定运行的保障。