STD16NF25
STD16NF25参数
| 漏源电压（Vdss） | 250V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 14A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 235mΩ @ 6.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 100W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 14A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 235 毫欧 @ 6.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 18nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 680pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 100W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DPAK | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
STD16NF25手册
STD16NF25概述
STD16NF25 产品概述
产品简介
STD16NF25 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）制造，采用 DPAK 封装设计。在电力电子转换、开关电源和电机驱动等应用中，该器件因其卓越的性能和可靠性而广泛使用。其核心参数包括额定漏源电压 250V，连续漏极电流 14A，以及最大功率耗散能力达到 100W。这使得 STD16NF25 特别适合高电压和高电流环境中的电子设计。
主要特性
高漏源电压（Vdss）：STD16NF25 具有高达 250V 的漏源电压，能够满足各种高压应用需求，适用于在各种电压条件下稳定运行。
高电流能力：在 25°C 的环境温度下，器件可以承受高达 14A 的连续漏极电流，适合多个并联使用以进一步提升功率性能。
低导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅源电压下，漏源导通电阻为 235mΩ（@ 6.5A），这意味着在正常工作条件下器件的功耗较小，有助于提升效率并降低热量产生。
阈值电压（Vgs(th)）：栅源极阈值电压为 4V，这一参数确保该 MOSFET 在相对较低的驱动电压下即可有效工作，便于在不同的驱动电路中利用。
较大的工作温度范围：STD16NF25 在-55°C 至 150°C 的工作温度范围内均能正常运作，适合在恶劣的环境条件下使用，提升了系统的整体耐用性。
快速开关性能：该器件的栅极电荷（Qg）为 18nC（@ 10V），使其具有快速开关时间，能够在高频开关应用中保持优秀的性能。
输入电容（Ciss）：STD16NF25 的最大输入电容为 680pF（@ 25V），确保其在快速切换状态下保持较低的驱动损耗。
表面贴装型设计：DPAK 封装使其能方便安装于现代电子电路板，降低了空间占用，提高了设计的灵活性。
应用场景
STD16NF25 的特点使其在以下领域具有广泛应用：
开关电源（SMPS）：作为主开关器件，支持充电和电力转换，高效低损耗的特性提升了电源的整体效率。
电机驱动：在驱动电机时，采用其作为开关元件可以有效控制电流，确保稳定驱动并减少热损耗。
电池管理系统：对电池进行充电、放电过程中的高效控制，帮助延长电池使用寿命并提高安全性。
负载开关：在多种负载控制应用中，利用其良好的开关性能和瞬态响应特性，保证电路的稳定性和可靠性。
LED 驱动：在 LED 照明解决方案中，作为开关元件以实现高效能调光控制。
结论
综上所述，STD16NF25 是一款性能优越、应用广泛的 N 沟道 MOSFET，凭借其高电压、低电阻、高电流等关键参数，适应了现代电子设备日益严苛的需求。在电力电子领域的复杂场景下，STD16NF25 提供了可靠性与效能的平衡，其强大的功能使其成为设计工程师的理想选择。无论是电源管理还是电机控制，STD16NF25 都能为用户带来卓越的体验与价值。