STB7NK80ZT4
STB7NK80ZT4参数
| 漏源电压（Vdss） | 800V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.2A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.8Ω @ 2.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 125W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.2A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.8 欧姆 @ 2.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 56nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1138pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 125W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | D2PAK | 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
STB7NK80ZT4手册
STB7NK80ZT4概述
STB7NK80ZT4 产品概述
STB7NK80ZT4 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的高性能 N 沟道 MOSFET，专为高压应用而设计。其最显著的特性包括最大漏源电压（Vdss）为 800V、连续漏极电流（Id）在 25°C 时为 5.2A 以及漏源导通电阻（Rds(on)）为 1.8Ω。由于其优异的电气特性和可靠性，该器件广泛应用于电源转换器、逆变器及其他高压功率电子设备中。
主要参数和规格
漏源电压 (Vdss): STB7NK80ZT4 支持的最大漏源电压为 800V，使其能够在高电压应用环境中稳定工作。在要求严格的电源管理和电动机控制应用中，该特性尤为重要。
连续漏极电流 (Id): 器件在 25°C 下的连续漏极电流为 5.2A，这意味着在正常工作条件下，能够承受高达 5.2A 的电流而不会出现过热或失效状态。这一性能确保了其在动态负载条件下的可靠性。
导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动电压施加下，器件的漏源导通电阻为 1.8Ω。较低的导通电阻减少了能量损耗，提升了整体电源效率。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 器件的栅源阈值电压为 4.5V @ 100µA，此参数为驱动电路设计提供了便利，使得 MOSFET 在较低电压下即可被有效触发。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 56nC @ 10V。较低的栅极电荷有助于减少开关损耗，提升开关速度，这对高频率应用尤为关键。
输入电容 (Ciss): 输入电容的最大值为 1138pF @ 25V，良好的电容特性有助于 MOSFET 在高频信号作用下维持稳定的工作状态。
功率耗散 (Pd): 该 MOSFET 的最大功率耗散为 125W @ Tc，这为其在应用中的热管理设计提供了依据。
工作温度范围: 器件能够在 -55°C 到 150°C 的温度范围内稳定工作，这使得 STB7NK80ZT4 在严苛的环境条件下依旧可用，适合工业和汽车等领域。
封装与安装类型
STB7NK80ZT4 采用 D2PAK 表面贴装封装，符合 TO-263 及 D²Pak 封装标准。其紧凑的设计使得该器件在电路板上的布局更为灵活，有助于提高电路的集成度，并降低 PCB 的散热需求。
应用场景
STB7NK80ZT4 由于其高耐压和良好的热性能，适用于多种具有挑战性的应用场景，包括但不限于：
- 电源转换器：可用于开关电源、直流-直流转换器等设备。
- 逆变器：在光伏、风能等可再生能源系统中，作为逆变器中的功率开关。
- 电动机驱动：在工业自动化和电动车辆中的电动机控制应用。
- UPS（不间断电源）：为关键系统提供备用电源的解决方案。
总结
STB7NK80ZT4 是一款经过优化的高压 N 沟道 MOSFET，凭借其良好的电气特性和热管理能力，能够满足各种高需求应用的要求。意法半导体在功率电子领域的专业经验确保了该产品的高可靠性与卓越性能，使其成为高压电源管理解决方案中的重要组成部分。无论是工业应用、可再生能源还是电动交通工具，该器件都将提供稳定且高效的性能表现。