封装/外壳 | DO-214AC,SMA | 反向耐压VR(最大值) | 800V |
平均整流电流IF | 1A | 正向压降VF | 1.7V@1A |
反向漏电流IR | 10µA@800V | 反向恢复时间(trr) | 75ns |
速度 | 快速恢复=<500ns,>200mA(Io) | 二极管类型 | 标准 |
安装类型 | 表面贴装(SMT) | 湿气敏感性等级(MSL) | 1(无限) |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 800V | 电流 - 平均整流 (Io) | 1A |
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.7V @ 1A | 反向恢复时间 (trr) | 75ns |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 10µA @ 800V | 不同 Vr、F 时电容 | 10pF @ 4V,1MHz |
供应商器件封装 | DO-214AC(SMA) | 工作温度 - 结 | -55°C ~ 150°C |
US1K-E3/61T 是一款由知名电子元器件制造商 VISHAY(威世)生产的标准二极管,采用 DO-214AC(SMA)封装。该二极管设计用于高电压和高电流应用,具有反向耐压达到 800V 和平均整流电流能力达 1A,使其成为广泛应用于功率变换、电源管理和整流电路中的理想选择。
反向耐压 (VR): US1K-E3/61T 的反向耐压最大值为 800V,适合用于高压电路,能够有效防止电流反向击穿,延长器件的使用寿命。这一特性使得该器件在各种电源和高压应用中表现出色。
整流电流 (IF): 该二极管的平均整流电流为 1A,能够处理各种峰值和持续电流需求,特别适合用于电源转换和直流整流电路。
正向压降 (VF): 在 1A 的整流电流下,US1K-E3/61T 的正向压降为 1.7V。较低的正向压降能够减少功率损耗,提高能效,是高效电源设计的重要指标之一。
反向漏电流 (IR): 在 800V 的反向电压下,该器件的反向漏电流为 10µA,表明在高电压情况下仍能维持良好的绝缘性能,降低整体功耗,有助于提升电路的整体性能。
反向恢复时间 (trr): US1K-E3/61T 的反向恢复时间为 75ns,属于快速恢复型二极管。这使得其在高频开关应用中表现极佳,能够有效防止开关损失,提高工作效率。
湿气敏感性等级 (MSL): MSL 等级为 1,意味着该器件适合在多种环境条件下工作,不会受到潮湿的影响,这对于长期稳定运行的应用场景尤为重要。
工作温度范围: 该二极管的结温范围为 -55°C 至 150°C,确保其在极端温度下的可靠性与稳定性,适用于严酷环境的电子设备中。
低电容: 在不同反向电压、正向电流条件下,US1K-E3/61T 的电容值为 10pF @ 4V, 1MHz,这使得其在高速传输和切换应用中具备更好的性能,适合现代高频电路。
US1K-E3/61T 二极管广泛应用于多个领域,包括但不限于:
US1K-E3/61T 是一款性能优越的高Voltage标准二极管,凭借其出色的电性能特点,能够在多种复杂应用中提供可靠支持。VISHAY 的这一产品不仅保障了电路的稳定性和效率,更在高温和高压环境中表现突出,展现出优秀的适应能力。针对需要高效整流和电压处理的设计工程师,US1K-E3/61T 是理想的选择。通过准确的参数控制,该二极管为各类电子设备提供了坚实的基础,助力创新与发展。