安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 | 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 5mA,5V |
UMG9NTR 产品概述
UMG9NTR 是一款由 ROHM (罗姆) 公司推出的高性能数字晶体管,采用 SOT-353-5 封装,旨在满足现代电子设备日益增加的高效能和小型化需求。作为一款双 NPN 型预偏置晶体管,UMG9NTR 具有广泛的应用场景,尤其适用于电源管理、信号放大和开关电路等多种数字电路设计。
1. 电气性能: UMG9NTR 的集电极电流(Ic)最大可达 100mA,这使得其可以处理高负荷的电流应用。此外,其集电极截止电流(最大值)仅为 500nA,意味着在关闭状态下,漏电流非常小,这对于减少功耗极为重要。
2. 电压稳定性: 该器件的集射极击穿电压(最大值)为 50V,确保其在较高电压环境中保持稳定工作。这一特性使得 UMG9NTR 适用于高电压应用,同时能够有效保护电路免受瞬态高电压的影响。
3. 低饱和压降: UMG9NTR 在不同的基极电流(Ib)和集电极电流(Ic)下,饱和压降(Vce)最大值为 300mV @ 500µA 和 10mA,展现出了优异的开关性能。这一特性对于高频或快速开关应用至关重要,可以显著提高电路的效率和响应速度。
4. DC 电流增益: 在不同的 Ic 和 Vce 条件下,该元件的直流电流增益(hFE)最小为 30 @ 5mA 和 5V,确保其在典型的增益需求应用中拥有足够的放大能力。
5. 频率响应: UMG9NTR 拥有高达 250MHz 的跃迁频率,这意味着它可用于高频信号处理,适合应用于高频开关和信号调制的场合。
UMG9NTR 的设计使其极为适合用于各类数字设备,包括但不限于:
总之,UMG9NTR 是一款高效能、紧凑型的数字晶体管,凭借其卓越的电气性能和多功能特性,适用于广泛的应用场景。无论是在信号处理、开关电路还是高频应用中,UMG9NTR 提供了稳定和可靠的解决方案。其小型化的表面贴装设计也为现代电子设计提供了更多的灵活性和可能性。选择 UMG9NTR,将为您的项目带来更高水平的效率和性能。