额定功率 | 150mW | 集电极电流Ic | 100mA |
集射极击穿电压Vce | 50V | 晶体管类型 | 2 个 PNP 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 10 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 10 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 20 @ 5mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
功率 - 最大值 | 150mW | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | UMT6 |
UMB11NTN是一款由ROHM(罗姆)公司推出的高性能数字晶体管,采用表面贴装型(SMD)封装,型号为UMT6。这种晶体管主要由两个预偏压的PNP类型晶体管组成,其额定功率为150mW,集电极电流(Ic)最大可达100mA,集射极击穿电压(Vce)可达50V,满足工业和消费类电子设备中的多种应用需要,具有广泛的适用性。
高功率处理: UMB11NTN的额定功率为150mW,能够有效应对大部分中小功率的应用场景,特别在开关电源和线性电源中表现卓越。
电流和电压特性:
增益性能: 在5mA的基极电流(Ib)下,UMB11NTN提供的直流电流增益(hFE)最小可达20,具有良好的静态特性,支持高效的信号放大,适用于高频低功率电路设计。
饱和压降: UMB11NTN的Vce饱和压降(最大值)为300mV(在500µA、10mA条件下测得),这一特性降低了功率损失,提升了整体效率,使其在动态负载下表现优异。
低截止电流: 在Vce条件下,该晶体管的集电极截止电流最大仅为500nA,确保了在关闭状态下的低功耗特性,并提高了整体系统的能效。
高频特性: UMB11NTN具有250MHz的跃迁频率,支持应用于高速信号的处理和放大,使其在高速数字电路应用中特别受欢迎。
UMB11NTN因其优越的电气特性和可靠性,适用于多种应用场景,包括:
开关电源:其高集电极电流和低饱和压降让其成为开关电源设计中的理想选择,有效转换电能。
数字电路:在高速数字电路中,UMB11NTN因其高频特性,能够保证信号的完整性和稳定性。
自动化设备:在工业自动化和控制系统中,UMB11NTN能够提供稳定的驱动信号,保证设备的可靠运行。
无线通信设备:高频性能使得该晶体管在无线通信和射频设备中同样能够发挥出色的能力。
消费电子:因其小巧的封装,UMB11NTN广泛应用于各种消费电子产品,如手机、平板电脑等,满足这些设备对电源管理及信号处理的需求。
UMB11NTN采用6-TSSOP、SC-88和SOT-363的封装形式,符合UMT6封装标准。这种小型化的设计不仅节省了电路板空间,还便于高密度的贴装工艺,适应现代电子产品日益紧凑的设计需求。
UMB11NTN是ROHM公司开发的一款具有优异性能的数字晶体管,因其出色的功率处理能力、低饱和压降和高频特性,广泛适用于多种应用场景,包括开关电源、数字电路、无线通信设备及消费电子。其小巧的封装和表面贴装设计,使其成为现代电子产品设计中不可或缺的重要组成部分。其无与伦比的性能使得UMB11NTN在日益竞争的市场中脱颖而出,成为开发人员和工程师的首选器件。