安装类型 | 表面贴装型 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 500mA |
工作温度 | 150°C(TJ) | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
晶体管类型 | 7 NPN 达林顿 | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.6V @ 500µA,350mA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 1000 @ 350mA,2V |
ULQ2003D1013TRY 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款集成电路,属于表面贴装型的双极结晶体管(BJT)阵列,具备 7 个 NPN 达林顿晶体管。它的工作电压可达 50V,最大集电极电流(Ic)为 500mA,是实现高电流驱动的理想选择。这款器件被广泛应用于电机驱动、继电器控制和灯光控制等场合,能够有效地实现高功率负载的控制。
高电流增益:ULQ2003D1013TRY 提供的 DC 电流增益(hFE)在 350mA 和 2V 条件下,最小值可达 1000,显著提高了驱动能力。这样的增益使得即使在较小的基极电流(Ib)情况下,依然能够推动较大的集电极电流(Ic),适用于各种控制电路。
低饱和压降:在最大集电极电流的工作条件下,Vce 饱和压降最大为 1.6V。这一特性有助于提高电路的效率,降低功率损耗,特别是在需要高频开关的应用中,Vce 的低值可以有效提升系统的性能。
耐高温性能:ULQ2003D1013TRY 的工作温度达到 150°C,这使得它能够在高温环境下可靠操作,非常适合工业级应用和其它对温度有较高要求的应用。
高压耐受性:该器件的集射极击穿电压(Vceo(max))达到 50V,能够承受较高的电压,使其适合在多种要求严苛的工作环境中使用。
紧凑的封装设计:采用 16-SO 封装,具有较小的尺寸和轻便的特性,符合表面贴装的要求,可方便地集成到各种电子设备中。
ULQ2003D1013TRY 在多个领域展现出广泛的应用潜力,包括但不限于:
ULQ2003D1013TRY 的优势在于其高集电极电流、高耐压、低饱和压降、强大的电流增益以及极限耐温能力,确保了它在众多高可靠性和高性能要求的应用中的有效性和稳定性。此外,表面贴装型的设计使其能够与现代电子设备中其它器件很好地集成,提高整体的性能和效率。
作为意法半导体的一款核心产品,ULQ2003D1013TRY 不仅满足了当前市场对高效能、高集成度的元器件的需求,同时也为客户提供了极大的设计灵活性和系统优化的可能性。
在设计高效能控制电路时,ULQ2003D1013TRY 是一个值得信赖的选择,凭借其强大的技术参数和多样的应用场景,成为了电子设计工程师在选用驱动和开关电路时的重要工具。