SUM90142E-GE3
SUM90142E-GE3参数
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2引线+接片），TO-263AB | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 200V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 7.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 15 毫欧 @ 30A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 87nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3120pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 375W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-263（D2Pak） |
SUM90142E-GE3手册
SUM90142E-GE3概述
SUM90142E-GE3 产品概述
SUM90142E-GE3 是一款由著名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产的高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用 TO-263-3 封装（也称 D²Pak）设计。此器件主要适用于高压、高电流的应用场合，是现代电子电路中不可或缺的重要组成部分。
基本特性
SUM90142E-GE3 的主要电气特性包括：
高漏源极电压（Vdss）：其漏源极电压值为 200V，能够在高电压环境下稳定工作，适合用于电源管理、驱动电路等严苛条件下的电子设备。
连续漏极电流（Id）：在 25°C 条件下，该 MOSFET 的最大连续漏极电流为 90A（热源温度 Tc）。这使其能够在高负载条件下保持良好的电性能，适合用于要求较高的功率转换应用。
栅源电压（Vgss）：其栅源电压最大值可达 ±20V，这意味着该元器件具备较好的驱动灵活性和兼容性，使其适合多种电路设计。
导通电阻（Rds(on））：在 10V 栅电压和 30A 漏极电流条件下，最大导通电阻为 15 毫欧，确保了在开关频繁的应用中，能够减少功耗，提高效率。
栅极电荷（Qg）：其栅极电荷最大值为 87nC（在 10V 驱动下），这使得器件在快速开关应用中表现良好，有效降低开关损耗。
输入电容（Ciss）：在 100V 时输入电容最大值为 3120pF，表现出良好的开关性能，适用于快速开关的电路设计。
功率耗散：该器件的最大功率耗散为 375W（在 Tc 下），显示出其在高功率环境下的卓越性能。
工作条件及适用环境
SUM90142E-GE3 能够在极为宽广的工作温度范围内运作，工作温度为 -55°C 至 175°C（TJ），使得它适用于恶劣环境下的电子设备。该器件的耐高温特性使其在汽车电子、工业控制及高性能计算等领域的应用受到广泛欢迎。
封装与安装
SUM90142E-GE3 采用 TO-263-3 封装形式（D²Pak 封装），适合表面贴装（SMT）技术，精简了电路板的空间占用，从而提高了设计的灵活性和便捷性。同时，该封装设计提供了良好的热管理，能够有效散热，确保器件在高功率下的可靠性。
应用场景
SUM90142E-GE3 MOSFET 适用于多种应用环境，包括但不限于：
- 电源管理：在开关电源、DC-DC 转换器中充当开关元件，有效提高电源效率，降低能耗。
- 驱动电路：用于驱动电机或其他电气负载，具备良好的开关性能和高电流承载能力。
- 工业控制：可广泛应用于工业自动化设备、机器人、伺服驱动等领域。
- 汽车电子：在汽车电源系统、LED 驱动和动力总成控制等应用中有重要作用。
结论
SUM90142E-GE3 是一款经济高效、高性能的 N 沟道 MOSFET，凭借其卓越的电气特性和宽广的应用范围，适合用作高效率电源转换及驱动电路的关键元件。无论是在工业应用还是消费类电子产品中，这款器件都能为设计师提供可靠的解决方案，实现高效能与高可靠性的目的。