SUD19P06-60-GE3
SUD19P06-60-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 18.3A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 60mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 2.3W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 18.3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 60 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 40nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1710pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 2.3W（Ta），38.5W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） | 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
SUD19P06-60-GE3手册
SUD19P06-60-GE3概述
SUD19P06-60-GE3 产品概述
一、基本信息
SUD19P06-60-GE3 是由 VISHAY（威世）公司推出的一款 P沟道场效应管（MOSFET），属于其高性能产品系列。该器件凭借其出色的电气性能和广泛的应用范围，在现代电子电路中得到了广泛的应用，尤其是在功率管理和开关电源领域。其关键参数如下：
- 漏源电压（Vdss）：60V
- 连续漏极电流（Id）@ 25°C：18.3A
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：60mΩ @ 10A, 10V
- 最大功率耗散（Ta = 25°C）：2.3W
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C
- 封装类型：TO-252（D-Pak）
二、电气特性
SUD19P06-60-GE3 的重要电气特性使其在各种应用中表现突出。其漏源电压为 60V，能够满足多数中低压应用的需求。其能够承受的连续漏极电流为 18.3A，意味着在高负载条件下也能实现稳定的工作表现。该器件的栅源极阈值电压为 3V，这使其加速开关速度成为可能，也能在相对较低的栅压下实现导通。
在驱动电压方面，SUD19P06-60-GE3 提供了多个选择，最大导通电阻为 60mΩ（在10A和10V下），这意味着该器件在开启时的能量损耗非常低，从而成就了其优越的效率。
此外，器件的输入电容（Ciss）为 1710pF @ 25V，为电路设计提供了良好的稳定性。器件的栅极电荷（Qg）为 40nC @ 10V，这对于高频开关应用有着重要的影响，可实现快速的开关响应。
三、散热性能
该 MOSFET 的最大功率耗散在环境温度为 25°C 时为 2.3W，而在结温（Tc）为 25°C 时可达到 38.5W。这一特性确保了 SUD19P06-60-GE3 能够在高功率应用中运行，同时保持较低的热阻。这使得设计工程师可以在无需过度担忧热管理的情况下，灵活地设计电路。
四、应用领域
SUD19P06-60-GE3 在众多领域有着广泛的应用，主要包括：
开关电源：可用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等，为电子设备提供高效率的电源供应。
电机控制：适用于电动机驱动，提供平稳的电流输出，对电动机启动和运行过程进行优化控制。
负载开关：在各种负载开关的应用中，SUD19P06-60-GE3 能够在高电流和高电压条件下有效地控制电流的通断。
电源管理：在电源管理模块中，SUD19P06-60-GE3 能够提供优良的电流控制，帮助提高系统整体效率和稳定性。
五、总结
总之，SUD19P06-60-GE3 作为 VISHAY（威世）公司的一款高质量 P沟道 MOSFET，凭借其在电气特性、散热能力以及广泛的应用场景中表现出的优越性能，成为了设计工程师实现高效率和高性能电源管理方案的理想选择。其 TO-252（D-Pak）封装不仅方便了表面贴装，更在应用中提供了灵活的设计可能性。对于追求高效率和可靠性的电子产品设计，SUD19P06-60-GE3 无疑是一个值得考虑的重要元器件。