SUD19P06-60-E3

SUD19P06-60-E3 产品概述

SUD19P06-60-E3 是由 VISHAY（威世）公司生产的一款高性能 P 通道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），适用于多种电源管理和开关控制应用。这款 MOSFET 采用 TO-252（D-Pak）封装，结合其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围，使其成为设计工程师的理想选择。以下是对该产品的详细介绍。

基本参数

SUD19P06-60-E3 的主要特性包括：

• FET 类型：P 通道，这是其主要特性之一，使其适合于低 side 开关应用。
• 漏源电压（Vdss）：可承受高达 60V 的漏源电压，对于需要高电压操作的应用场景尤为重要。
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，SUD19P06-60-E3 可以连续承载高达 18.3A 的电流（在晶体管结温 Tc 的条件下），展现出强大的电流处理能力。
• 导通电阻（Rds On）：在 10V 的栅源电压下，导通电阻的最大值仅为 60 毫欧在 10A 的电流下，确保高效率的电源管理。
• 栅阈值电压（Vgs(th)）：在 3V @ 250µA 的条件下，确保设备在适当的门极电压下快速导通。
• 栅极电荷（Qg）：最大值为 40nC @ 10V，这一参数决定了在开关状态下延迟和功耗，较低的栅极电荷有助于更快的开关速度。
• 输入电容（Ciss）：在 25V 下的输入电容值为 1710pF，适用于高频率切换应用。
• 功率耗散：设备的最大功率耗散为 2.3W（环境温度 Ta）和 38.5W（结温 Tc），这为其在各种环境下提供了安全性和可靠性。
• 工作温度范围：该器件可在 -55°C 到 150°C 所有极端环境下稳定工作，极大地拓宽了其使用范围。

封装与安装

SUD19P06-60-E3 采用 TO-252（D-Pak）封装，这是一种表面贴装型（SMT）封装，具备良好的散热性能和编排灵活性。由于其紧凑的设计和较低的外形高度，该封装方式适合于电路板面积受限的应用场合。D-Pak 结构使得器件能够在高温工作时仍能有效散热，降低失败风险。

应用场景

SUD19P06-60-E3 的高性能特征使其广泛应用于以下领域：

1. 开关电源：在各种开关电源中，MOSFET 用于控制电流的开关，提高整体能效。
2. 电机控制：可用于电机驱动电路，特别是直流电机和步进电机控制应用。
3. 电池管理系统：该 MOSFET 可用于保护电池组和提高充放电效率。
4. LED 驱动电路：由于其高电流承载能力，该 MOSFET 适用于高功率 LED 的驱动应用。
5. 汽车电子：采用其广泛的工作温度范围，该器件适合用于汽车中的各种电源管理与控制功能。
6. 通信设备：用于电源管理和信号开关，保证信息传输的稳定性和可靠性。

总结

SUD19P06-60-E3 是一种具有优异电气性能、优良散热特性和可靠性的 P 通道 MOSFET，适合于多种要求高电压和大电流的应用。通过其高效率和稳定性，SUD19P06-60-E3 能够帮助电子工程师设计出更高效、可靠的电源系统和控制设备。无论是在开关电源、电机控制，还是其他高功率应用中，SUD19P06-60-E3 都是值得信赖的选择。