STW9NK90Z
STW9NK90Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 900V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8A |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.3Ω @ 3.6A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 160W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.3 欧姆 @ 3.6A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 72nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2115pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 160W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW9NK90Z手册
STW9NK90Z概述
STW9NK90Z 产品概述
STW9NK90Z是一款具有高电压和高功率处理能力的N沟道MOSFET，专为需要高可靠性的应用而设计。该器件的关键参数使其在工业、汽车和电力电子领域广泛应用，尤其是在需要快速开关和高效率的场合。
关键特性
漏源电压（Vdss）: 900V
STW9NK90Z能够承受高达900V的漏源电压，非常适合用于高电压应用场景，如电源转换器、工业驱动电路和高压开关电源等。连续漏极电流（Id）: 8A
在25°C的环境下，该MOSFET支持8A的连续漏极电流，适合在限制的空间内输出较高的功率，为各种电子设备提供了强大的驱动能力。栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 4.5V @ 100µA
栅源极阈值电压的设计确保了在适当的栅电压下能够有效切换，提高了驱动电路的灵活性。漏源导通电阻（Rds(on)）: 1.3Ω @ 3.6A, 10V
低导通电阻值在开关状态时有效降低了功率损耗，提升了整体系统的效率。最大功率耗散: 160W
能够承受高达160W的功率，确保器件在高负载条件下运行的稳定性和安全性。温度范围: -55°C ~ 150°C
宽广的工作温度范围使得STW9NK90Z能够在严苛的环境下正常工作，适用于航空航天、汽车电子等高温或低温应用。封装类型: TO-247-3
采用通孔的TO-247-3封装，便于散热和安装，同时也为高功率电路提供了良好的散热性能。
应用领域
STW9NK90Z由于其高性能参数，适用的应用范围非常广泛，包括但不限于：
- 开关电源: 适用于AC-DC、DC-DC变换器中，实现高效能的电源转换。
- 电机驱动: 在各种电机控制场合，比如无刷直流电机、中小功率交流电机的控制中，STW9NK90Z可用于高效切换。
- 功率放大器: 在功率放大器中用作开关元件，能够确保高频信号的有效传递。
- 太阳能逆变器: 作为逆变器中的关键元件之一，支持太阳能电池将直流电转换为高效的交流电。
性能优势
高效能: STW9NK90Z能够在开关操作中降低功率损耗，从而提升整体系统效率，尤其是在高开关频率的应用中。
高可靠性: 其坚固的构造和宽温度范围使其在极端环境下仍能稳定工作，提升了系统的整体可靠性。
易于驱动: 由于栅阈值电压设计合理，STW9NK90Z易于与各种驱动电路适配，简化了设计过程。
结论
综上所述，STW9NK90Z作为一款高性能的N沟道MOSFET，在诸多高电压和高功率应用中表现出色。其高可靠性、效率和易于驱动的特性，使得它成为现代电子产品设计不可或缺的选择。在未来的电子技术发展中，该器件无疑将发挥更大的作用，为各类应用提供强劲、稳定的支持。