STW6N120K3
STW6N120K3参数
| 封装/外壳 | TO-247-3 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 1200V（1.2kV） | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 1200V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 欧姆 @ 2.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 34nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1050pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-247 |
STW6N120K3手册
STW6N120K3概述
产品概述：STW6N120K3
产品简介 STW6N120K3 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道MOSFET，采用TO-247-3封装，设计用于高电压和高功率应用。凭借其1200V的漏源极电压（Vdss）和6A的连续漏极电流（Id），该器件特别适合于工业设备、开关电源、和电动机驱动等需要高效能和高可靠性的场合。
封装与结构 STW6N120K3采用TO-247封装，这是通孔安装（THT）的一种常见形式，具有良好的散热性能和机械强度，使得MOSFET在高功率应用中能够保持稳定的工作状态。TO-247的设计还允许较大的PCB接触面积，从而提高了热导效率，适应高达150W的功率损耗（绝对最大值）。
电气特性
- 漏源电压 (Vdss)：达1200V（1.2kV），使该器件能够处理高电压应用中的电气需求。
- 栅源电压 (Vgss)：耐受±30V的栅源电压，使其适用于各种栅驱动电路。
- 连续漏极电流 (Id)：在25°C环境下，连续漏极电流可达6A，优异的电流承载能力保证了其高效工作。
- 输入电容 (Ciss)：在100V的工作电压下，输入电容Ciss为1050pF，确保快速开关特性并降低开关损耗。
- 导通电阻 (Rds(on))：在10V栅电压下，导通电阻最大为2.4Ω（@2.5A），增强了开关效率和热性能。
开关特性 STW6N120K3具备优良的开关特性。其栅极电荷（Qg）在10V时为34nC，这意味着该器件的开关速度快，有利于提高整个电路的工作效率，特别是在高频应用中。此外，达到最大导通电流时的栅阈值电压（Vgs(th)）为最大5V，这进一步增强了在复杂电源管理系统中的适应性。
工作环境与可靠性 该MOSET的工作温度范围广泛，从-55°C至150°C（TJ），使其在恶劣和多变的环境条件下依然能够稳定运行。由于标准的封装设计和材料，该器件在各种工业条件下表现出良好的热稳定性和机械耐久性。
应用场景 STW6N120K3适用于多种应用场景，包括：
- 开关电源（SMPS）：在高效电源转换中，处理高电压和电流。
- 电动机驱动：适合用于电动机的高效控制，提供可靠的功率开关。
- 逆变器：用于将直流电转换为交流电，广泛应用于可再生能源系统如太阳能逆变器。
- 工业控制：在复杂的工业自动化系统中，实现高可靠性的信号开关。
总结 STW6N120K3代表了现代电子行业中MOSFET技术的先进水平。凭借其高电压、高电流、紧凑的封装设计和宽广的工作温度范围，这款N沟道MOSFET适用于多种应用，能够满足对高效能和高可靠性的严苛要求。选择STW6N120K3，意味着选择了高品质、高性能和广泛适用性的电子解决方案，是设计工程师在电源管理和驱动系统中不可或缺的理想元件。