STW20NM60
STW20NM60参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 290mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 192W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 290 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 54nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 192W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW20NM60手册
STW20NM60概述
STW20NM60 产品概述
一、产品简介
STW20NM60 是由意法半导体（STMicroelectronics）制造的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。该器件特别适用于高压和大电流的应用场景，具有良好的开关性能和低导通电阻，使其在各种电子设备中表现出色。凭借其 600V 的漏源电压（Vdss）、20A 的连续漏极电流（Id），以及193W的最大功率耗散能力，STW20NM60 是工业和消费电子领域的理想选择。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）: 600V
- 适合高电压应用，如开关电源、马达驱动及逆变器等。
连续漏极电流（Id）: 20A (在 25°C 的情况下）
- 随着温度的升高，漏极电流能力会有所降低，因此，合理设计冷却方案是必不可少的，以保证设备的稳定性和可靠性。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 5V @ 250µA
- 使得该 MOSFET 能够在相对较低的栅电压下实现开关，降低开关损耗，提升驱动效率。
导通电阻（Rds On）: 290mΩ @ 10A, 10V
- 较低的导通电阻意味着在工作期间的能量损耗更小，从而提高系统的整体效率。
功率耗散能力: 192W (当环境温度 Ta = 25°C)
- 能够承受较大的功率，使其在高功率应用中更具优势。
工作温度范围: -55°C 到 150°C
- 宽广的工作温度范围使其能够在各种严苛环境下正常工作。
封装类型: TO-247-3
- 通孔器件封装，方便散热，适合高功率电路的设计需求。
三、特性与应用
STW20NM60 的主要特性在于其高开关速率与低损耗，适用于以下应用领域：
开关电源: 适用于高效电源转换和能量管理，提供稳定的输出功率性能。
马达控制: 在电动机驱动及控制系统中，利用其高电流能力及开关特性，可实现高效的动力转换。
逆变器: 适应于太阳能逆变器和电动车的电力转换，在能量转化中保持高效性。
终端设备: 如家用电器、工业控制系统等需高电流和高电压操作的设备中。
四、优势
高效能: 其低导通电阻带来较少的功耗，降低了热损耗问题，延长了器件的使用寿命。
温度稳定性: 能够在较高的工作温度下保持性能稳定，通过合理的散热设计，可在更极端的条件下继续工作。
极大兼容性: 适用于多种驱动电压与控制方案，使其在各种应用中都能发挥出色的性能。
设计灵活性: TO-247-3 封装设计支持多种安装方式，简化了设计过程，增强了应用设计的灵活性。
五、总结
STW20NM60 MOSFET 结合了高电压和高电流处理能力，使其成为诸多应用的理想选择。无论是在功率转换、马达驱动，还是在高效率的开关电源中，STW20NM60 的表现都能满足现代电子设计的严苛要求。随着电子产品对能效和性能的进一步追求，该器件将在未来的市场中扮演重要的角色。