漏源电压(Vdss) | 900V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 15A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4.5V @ 150uA | 漏源导通电阻 | 550mΩ @ 7.5A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 350W(Tc) | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 550 毫欧 @ 7.5A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 150µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 256nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±30V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 6100pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 350W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
产品简介
STW15NK90Z是一款出色的N沟道MOSFET,属于意法半导体(STMicroelectronics)的产品系列,专门针对高电压和高功率应用而设计。这款MOSFET具有高达900V的漏源电压(Vdss)能力和15A的连续漏极电流(Id),在高温环境下(最高可达150°C)仍能稳定工作,是需要高效电力转换和热管理的电子产品理想选择。
主要参数
电气特性
热特性
电气驱动与特性
封装与安装
STW15NK90Z采用TO-247-3封装,设计便于通孔安装。该封装具有很好的热沉性能,能够保证高功率操作时的热管理需求。TO-247-3封装的结构使得其在散热和安装方面都表现出色,是许多工业和汽车应用的首选。
应用场景
STW15NK90Z适用于各种应用,包括但不限于:
总结
STW15NK90Z凭借其高电压、高功率和宽工作温度范围的特点,是高性能电源管理和高频开关应用的最佳选择。其低导通电阻和优良的热特性使其在设计电源电路时极具吸引力。此外,ST作为知名品牌,提供可靠的产品技术支持和完善的客户服务,确保用户能够充分发挥其产品的潜力。无论是在消费电子、工业控制,还是汽车电子领域,STW15NK90Z都能够满足严苛的性能需求。