STW11NK100Z
STW11NK100Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 1000V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 8.3A |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 100uA | 漏源导通电阻 | 1.38Ω @ 4.15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 230W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.38 欧姆 @ 4.15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 162nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3500pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 230W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
STW11NK100Z手册
STW11NK100Z概述
STW11NK100Z 产品概述
STW11NK100Z 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 通道金属氧化物场效应管（MOSFET），其最大漏源电压（Vdss）为 1000V，适合用于高压电源转换、开关电源、以及各种电子应用。在现代电子设计中，高效、耐压特性及良好的热性能是电源管理和功率控制至关重要的因素，而 STW11NK100Z 凭借其优秀的参数配置，能够有效满足这些需求。
基本参数与应用
漏源电压与电流能力: STW11NK100Z 的漏源电压高达 1000V，能够支持多个行业中常见的高电压应用。它的连续漏极电流（Id）为 8.3A（在 25°C 时），确保在正常工作情况下可提供稳定的电流输出，适合用于电机驱动、逆变器、和电源转换器等高负荷应用。
栅源电压特性: 该器件的栅源极阈值电压（Vgs(th)）为 4.5V，确保在 100µA 的漏电流下，能够精确控制开关状态。这一特性使其在低功耗电路以及高频开关应用中表现尤为出色。
导通电阻与驱动电压: STW11NK100Z 的漏源导通电阻（Rds(on)）为 1.38Ω，测试条件为 4.15A 和 10V，这一值表明该 MOSFET 在导通状态下的能量损耗较低，有助于提升整体电源效率。同时，最大驱动电压为 10V，能够与多种主流控制器兼容，简化驱动设计。
功率耗散能力: 此 MOSFET 的最大功率耗散能力为 230W（在 Tj = 25°C 时），高功率处理能力使其适用于严苛的工作环境，能有效避免因过热导致的损坏。
工作温度范围与封装: STW11NK100Z 工作温度范围为 -55°C 到 150°C，适应极端环境挑战。这种可靠性设计使其非常适合航空航天、汽车电子和工业设备等高要求应用。同时，该器件采用 TO-247-3 封装，便于散热和安装，符合现代电子设计的空间与散热需求。
电气特性与性能
STW11NK100Z 还具有其它电气特性，使其在众多应用中脱颖而出。其输入电容（Ciss）在 25V 条件下达到最大 3500pF，表明其对栅极驱动的动态响应良好。最大栅极电荷（Qg）为 162nC（在 10V 时）显示该器件在开关过程中能有效的降低驱动功耗，适合高频开关应用。
总的来说，STW11NK100Z 是一款面向高压、高效能应用设计的高品质 MOSFET，其出色的电气特性、耐环境能力和灵活的应用范围使其在电源、骑行、电机驱动等各种行业中具有广泛的市场需求。无论是对于新项目的开发还是对现有电路的升级，STW11NK100Z 都是一个值得信赖的选择。