封装/外壳 | TO-225AA,TO-126-3 | 晶体管类型 | NPN |
电压-集射极击穿(最大值) | 400V | 集电极电流Ic(最大值) | 2A |
电流放大倍数hFE(最小值) | 10@500mA,5V | 功率(最大值) | 45W |
工作温度 | 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔(THT) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 2A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 400V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 1.5V @ 400mA,1.6A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 250µA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 10 @ 500mA,5V | 功率 - 最大值 | 45W |
供应商器件封装 | SOT-32-3 |
引言
STT13005 是意法半导体(STMicroelectronics)出品的一款高性能 NPN 晶体管,适合在高电压、大电流的各种应用中使用。凭借高达 400V 的集射极击穿电压和 2A 的集电极电流能力,它在开关电源、音频放大器及工业控制等领域表现出色。
关键参数
封装与外壳: STT13005 提供多种封装选择,包括 TO-225AA、TO-126-3 及 SOT-32-3。这些通孔封装设计利于快速安装及散热,适合多种电路板设计要求。
电压与电流特性:
电流放大倍数 (hFE): 在 500mA 的集电极电流及 5V 的基极电压下,最小电流增益为 10。这意味着即使在高负载条件下,该晶体管仍能提供合适的放大能力,适于各种信号处理应用。
饱和压降 (Vce(sat)): 不同的集电极电流下,最大饱和压降为 1.5V(在 400mA 时)和 1.6V(在 1.6A 时)。相对较低的饱和压降有助于减少功耗,提高整体能效。
功率处理能力: STT13005 能够处理的最大功率为 45W,使其非常适合高功率应用,如开关电源和大功率放大器。
工作温度: 适用的工作温度范围为 -55°C 到 150°C(TJ),极大地扩展了该器件在恶劣环境中的适用性。
应用领域
凭借其高电压、高电流和良好的热稳定性,STT13005 在以下几个领域具有广泛的应用前景:
总结
STT13005 是一款多功能、高稳定性的 NPN 晶体管,凭借其卓越的电气性能和广泛的应用潜力,成为业界中不可或缺的电子元器件之一。无论是在高要求的工业应用,还是在消费电子产品中,这款晶体管都能提供可靠的性能和卓越的效率,推动现代电子设备的创新与发展。