注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
STP90NF03L
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
2.74g
描述 :
场效应管(MOSFET) 150W 30V 90A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.32按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.32
--
100+
￥2.66
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP90NF03L参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 90A |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 6.5mΩ @ 45A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 150W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.5 毫欧 @ 45A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 47nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2700pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 150W（Tc） |
| 工作温度 | -65°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP90NF03L手册
STP90NF03L概述
STP90NF03L 产品概述
STP90NF03L 是由意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），主要应用于各种开关电源、电机驱动和逆变器等高功率电子设备中。凭借其卓越的电气性能和广泛的工作温度范围，该器件已成为电子设计中广泛选择的元件之一。
主要特性
电气参数：
- 漏源电压（Vdss）: 该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，适合用于低至中压应用。
- 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 时，STP90NF03L 的连续漏极电流可达到 90A，能够满足较大功率负载的需求。
- 栅源极阈值电压 Vgs(th): 该器件的栅源阈值电压为 2.5V，适合用于5V或更高电压的驱动条件下，确保其在较低驱动电压下也能可靠导通。
- 导通电阻 Rds(on): 在 10V 和 45A 的条件下，Rds(on) 最大值为 6.5 毫欧，这确保了在较高电流下的功率损耗极低，从而提高了系统的整体效率。
功率和热管理：
- 最大功率耗散: 该器件的最大功率耗散为 150W（在 Tc = 25°C 时），适合高负载条件下的运行。
- 工作温度范围: STP90NF03L 的工作温度范围为 -65°C 至 175°C，确保了在广泛的环境条件下能够稳定工作，适合工业及极端条件下的应用。
封装与安装：
- 封装类型: 该器件采用 TO-220-3 封装，支持通孔安装，便于散热和电路板布线。
- 尺寸和电气性能: TO-220 封装提供了良好的散热性能，适合高功率应用，能够有效提高器件的工作稳定性。
电气特性：
- 驱动电压: STP90NF03L 的标准驱动电压为 5V 和 10V，确保电路设计的灵活性。
- 输入电容 Ciss: 在 25V 时，输入电容（Ciss）最大值为 2700pF，有助于提高开关速度，降低开关损耗。
应用领域
STP90NF03L MOSFET 被广泛应用于多种电子设备中，典型应用包括：
- 开关电源: 适合用于 DC-DC 转换器和 AC-DC 电源中，可提供高效的开关性能和优秀的功耗管理。
- 电机驱动: 在电动机驱动电路中，该器件能够提供稳定的电流，驱动各种类型的电机，包括直流电机和步进电机。
- 逆变器: 在光伏逆变器和电力逆变器中，STP90NF03L 的高电流承载能力和低导通电阻使其成为理想选择。
结论
综上所述，STP90NF03L 是一款性能优越的 N 沟道 MOSFET，凭借其优异的电气特性、宽广的工作温度范围及高功率散热能力，已成为众多高效能电子设计中的重要元件。其广泛的应用场景和可靠的性能使得 STP90NF03L 成为满足现代电子产品设计需求的理想选择。