STP7NK40Z
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.98g
描述 :
场效应管(MOSFET) 70W 400V 5.4A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.38按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.38
--
50+
￥1.83
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP7NK40Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 400V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.4A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 1Ω @ 2.7A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 70W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1 欧姆 @ 2.7A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 26nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 535pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP7NK40Z手册
STP7NK40Z概述
STP7NK40Z 产品概述
STP7NK40Z 是一种高性能的 N 通道 MOSFET，广泛用于各类电子设备中，尤其在高压开关电源、马达驱动、照明控制以及高频功率转换等应用场景中具备显著的优势。作为意法半导体（STMicroelectronics）出品的一款 MOSFET，STP7NK40Z 具有优异的电气特性和强大的功率处理能力，是设计工程师在选择元器件时的理想选择。
基本参数与特性
- 漏源电压 (Vdss): STP7NK40Z 的漏源电压高达 400V，使其适合用于高压工作环境中。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 时，STP7NK40Z 的连续漏极电流为 5.4A (Tc)，这为各种实际应用提供了稳定的电流输出。
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 该产品具有较低的栅源极阈值电压为 4.5V @ 50µA，保证了在较低电压下也能可靠地导通，降低了开关损耗。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs 为 10V、Id 为 2.7A 时，漏源导通电阻为 1Ω，这有助于减小导通损耗，提高电源效率。
- 驱动电压: 该 MOSFET 的参数表明，最小和最大驱动电压均为 10V，确保了在特定应用中具有良好的驱动能力。
- 输入电容 (Ciss): STP7NK40Z 的输入电容 (Ciss) 最高可达 535pF @ 25V，表明其在高频开关应用中的响应速度。
能耗与温度特性
- 最大功率耗散: 在 25°C 的环境下，该 MOSFET 最大功率耗散为 70W (Tc)，这使得其在高强度工作条件下仍能保持出色的性能。
- 工作温度范围: STP7NK40Z 可以在 -55°C 到 150°C 的宽温环境下工作，确保了其在极端温度条件下的可靠性和稳定性。
封装及安装
- 封装类型: STP7NK40Z 采用 TO-220AB 封装，这种通孔封装形式工作稳定且便于散热，适合在空间有限的系统中发挥优势。
- 供应商器件封装: TO-220-3 封装设计优化了散热性能，确保在高负载情况下不会过热。
应用领域
由于其卓越的电气性能，STP7NK40Z 常被应用于多种领域，包括：
- 开关电源: 适用于高效率的开关电源设计，为电源管理提供可靠的开关控制。
- 马达控制: 适合用于电动机驱动中，提供高效的开关方式以控制电机转速。
- 照明控制: 使用在调光和电源调节中，有助于提升照明设备的功率效率。
- 消费电子: 应用于高功率消费电子产品，满足对可靠性和性能的要求。
结论
STP7NK40Z 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，以其优异的电气特性，适应广泛的应用需求。无论是在高压开关电源、马达驱动，还是在工业控制和消费电子领域，STP7NK40Z 都能为工程师提供高性能、高效率的解决方案。凭借意法半导体的品牌价值和产品质量，STP7NK40Z 赢得了广泛的市场认可，成为许多设计师在选用 MOSFET 时的首选。