STP75NF20
STP75NF20参数
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 75A(Tc) | 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 34mΩ @ 37A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 190W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 75A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 34 毫欧 @ 37A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 84nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3260pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 190W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP75NF20手册
STP75NF20概述
STP75NF20 产品概述
在现代电子设计中，高效能的开关元器件是不可或缺的，尤其是在电源管理和电动机控制领域。STP75NF20 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)，具有卓越的性能和广泛的应用潜力。其关键性能参数使其成为多种高功率电子应用中的理想选择。
产品基本信息
STP75NF20 特别设计用于高压和高电流的应用场景。它的连续漏极电流(Id)在 25°C 时可达 75A，结合可耐受的漏源电压（Vdss）高达 200V，使其在电源转换、开关电源和电动机驱动等场合非常受欢迎。该器件的功率耗散能力也相当优秀，最大功率耗散在 Tc 情况下可达 190W，为电路设计提供了更大的灵活性和安全裕量。
导通电阻与驱动电压
STP75NF20 的漏源导通电阻（Rds(on)）为 34mΩ，这一参数在 37A 和 10V 的条件下测得。这意味着在高负载情况下，该 MOSFET 能够保持低的电能损耗，从而提高系统效率。此外，栅源极阈值电压(Vgs(th))为 4V @ 250µA，确保其在相对较低的驱动电压下也可实现良好的导通状态，从实用角度，为设计者减小了驱动电路的复杂性。
温度和安装特性
该器件的工作温度范围从 -55°C 至 150°C，这使得 STP75NF20 适用于各种严苛环境下的应用，如汽车电子和工业控制。同时，其安装类型为通孔（Through Hole），封装形式为 TO-220AB。这种封装设计不仅便于散热，也方便与电路板的连接，提高了组装效率。
输入特性与栅极电荷
STP75NF20 的输入电容（Ciss）在多种电压条件下表现稳定，最大值为 3260pF @ 25V，而栅极电荷（Qg）在 10V 的条件下为 84nC。这些参数在高频开关应用下尤其重要，能够在一定程度上降低驱动电路的功耗，提高工作频率。
应用场景
STP75NF20 的应用领域广泛，尤其是在以下几个方面表现突出：
- 开关电源：由于其高漏源电压和电流承受能力，STP75NF20 适合用于 DC-DC 转换器和逆变器电路。
- 电动机控制：在各种工业电机控制驱动上，MOSFET 的快速开关特性能够大幅提升系统的功率因数和响应速度。
- 汽车电子：能够在高温和高电流环境下可靠工作，非常适合汽车的电源管理系统和电动助力转向(PAS)系统。
- 家电产品：在洗衣机、空调等家电中，MOSFET 通常被用于电源开关和控制电路。
总结
STP75NF20 是一款具有高性能和多用途的 N 沟道 MOSFET，凭借其完备的电气特性及强大的功率处理能力，正在不断推动电子设备向更高效、更可靠的方向发展。对于设计工程师来说，这一器件所提供的低导通电阻、高电压和高电流能力无疑会在实际应用中带来益处。无论是在电源管理还是电动机控制领域，STP75NF20 均展现出优越的适用性，成为电子产品设计时的重要选择。