STP4NK60Z
STP4NK60Z参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 50uA | 漏源导通电阻 | 2Ω @ 2A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 70W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2 欧姆 @ 2A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 26nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 510pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 70W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP4NK60Z手册
STP4NK60Z概述
STP4NK60Z是一款高性能的N沟道MOSFET，属于金属氧化物半导体场效应管技术，专为高电压和中等电流应用而设计。这款元器件在市场上广受欢迎，广泛应用于电源转换、电机控制、开关电源以及其他需要高效率和高耐压的电子电路。以下是对STP4NK60Z的详细产品概述。
主要参数和特点
额定电压和电流： STP4NK60Z的漏源电压（Vdss）高达600V，能够承受强电压应用。其连续漏极电流（Id）在25°C时为4A，适用于中等功率电源及负载控制。
优良的开关特性： 该器件的栅源电压阈值（Vgs(th)）为4.5V（@ 50µA），这使得其在驱动电路时，能够在相对较低的电压下开始导通。同时，其最大漏源导通电阻（Rds(on)）为2Ω（@ 2A, 10V），确保在工作时减少功率损耗，提升能效。
出色的散热能力： STP4NK60Z的最大功率耗散可达70W（在Tc=25°C时），使其在高温环境下也能够稳定工作。其工作温度范围可达到150°C（TJ），适合高温工业环境。良好的散热能力也极大拓展了其应用的场景。
高频性能： 灌注控制中的栅极电荷（Qg）值为26nC（@ 10V），说明该器件具有良好的高频开关性能，适合高频率的开关操作，以降低开关损耗。
封装和安装类型： STP4NK60Z采用TO-220AB封装，该封装形式有助于有效的散热，适合通孔安装，方便与其他组件的连接。这种封装也为设备的安装和散热提供了良好的条件。
应用领域
STP4NK60Z由于其高耐压和良好的导通特性，广泛应用于以下领域：
- 开关电源：在AC-DC和DC-DC转换过程中，作为主控开关，用于电压的变换与调节。
- 电机驱动：用于直流和步进电机控制，提供高效的开关和驱动解决方案。
- 照明控制系统：常被用于高压灯具及相关照明设备中，确保稳定的电流控制。
- 电子开关电路：适用于各类需要控制电流通断的电子装置。
竞争优势
与其他同类产品相比，STP4NK60Z拥有更高的工作电压和功率处理能力，再加上其稳定的电气特性，使得其在市场中具有一定的竞争优势。其供源能量损耗低，响应速度快，能在要求严格的工业应用中表现出色。
小结
总的来说，STP4NK60Z是一款高度集成且功能强大的N沟道MOSFET，具备600V高耐压、4A连续电流和70W功耗能力，适合多种高效率的开关和控制应用。它广泛应用于电源取电、电机控制等多种场合，是现代电子设计中不可或缺的元件之一。无论是在工业还是消费电子领域，STP4NK60Z都能为各类应用提供可靠、稳定的性能。