STP45NF06 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

STP45NF06

商品编码: BM0000283912
品牌 : 
ST(意法半导体)
封装 : 
TO-220-3
包装 : 
管装
重量 : 
-
描述 : 
场效应管(MOSFET) 80W 60V 38A 1个N沟道 TO-220
库存 :
160(起订量1,增量1)
批次 :
18+
数量 :
X
2.46
按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥2.46
--
50+
¥1.9
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

STP45NF06参数

封装/外壳TO-220-3FET类型N沟道
漏源极电压(Vdss)60V栅源电压 Vgss±20V
安装类型通孔(THT)FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)38A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)28 毫欧 @ 19A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)58nC @ 10VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)980pF @ 25V功率耗散(最大值)80W(Tc)
工作温度175°C(TJ)供应商器件封装TO-220AB

STP45NF06手册

STP45NF06概述

STP45NF06 产品概述

概述

STP45NF06是一款高性能N沟道MOSFET,专为高效率和高电流应用而设计。该器件的封装采用TO-220-3,提供良好的散热性能,适合在电源管理、逆变器、DC-DC转换器,以及各类电力电子设备中使用。其最大漏源极电压为60V,额定负载电流为38A,使其成为满足多种应用需求的理想选择。此器件由意法半导体(STMicroelectronics)制造,具有卓越的电气性能和出色的热性能。

主要特性

  1. 电气参数

    • 漏源极电压(Vdss):60V,适合处理中等电压的应用。
    • 连续漏极电流(Id):在25°C下,器件的耐流能力达到38A,极大增强了其在负载施加情况下的信赖度。
    • 栅源电压(Vgss):最大值为±20V,提供设计灵活性,适应多种驱动要求。
    • 导通电阻(Rds On):在19A、10V时最大值为28毫欧,低导通电阻有助于降低功耗和提升工作效率。
    • 阈值电压(Vgs(th)):最大值为4V @ 250µA,确保开关操作时的稳定性。
  2. 电容特性

    • 输入电容(Ciss)最大值为980pF @ 25V,提供良好的开关性能,并确保快速响应。
  3. 驱动特性

    • 栅极电荷(Qg):最大值为58nC @ 10V,适合高频率开关和高效驱动应用。
  4. 功率和热管理

    • 功率耗散(Pd):最大为80W(Tc),使其能够处理高功率应用,同时保持良好的可靠性。
    • 工作温度范围:TJ最高可达175°C,表明该MOSFET适用于高温环境,尤其是在工业应用中表现优越。

应用场景

由于其卓越的电气特性,STP45NF06广泛应用于以下领域:

  • 电源管理:在开关电源、DC-DC转换器中,该器件被广泛用于功率级电路,进行高效的能量转换。
  • 电动机驱动:可用作电动机驱动电路中的开关元件,保障高效的电机控制和驱动性能。
  • 逆变器系统:在太阳能和风能逆变器方面,提供可靠的功率处理性能,提升能量转换效率。
  • 高频开关电路:适用于各种高频开关电路,确保快速响应和高效运行。

结论

STP45NF06是一个高效、可靠的N沟道MOSFET,适应于高电流和中等电压的应用场景。它结合了低导通电阻、出色的功率处理能力和优秀的热稳定性,确保了广泛的应用灵活性和高性能。无论是在电源管理还是电动机控制领域,该器件都能提供稳定、高效的解决方案。根据不同的负载和工作环境条件,工程师们可以充分利用STP45NF06的特性,实现所需的设计目标,提升整体系统的效率和性能。