封装/外壳 | TO-220-3 | FET类型 | N沟道 |
漏源极电压(Vdss) | 60V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 60V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 38A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 28 毫欧 @ 19A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 58nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 980pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 80W(Tc) |
工作温度 | 175°C(TJ) | 供应商器件封装 | TO-220AB |
STP45NF06是一款高性能N沟道MOSFET,专为高效率和高电流应用而设计。该器件的封装采用TO-220-3,提供良好的散热性能,适合在电源管理、逆变器、DC-DC转换器,以及各类电力电子设备中使用。其最大漏源极电压为60V,额定负载电流为38A,使其成为满足多种应用需求的理想选择。此器件由意法半导体(STMicroelectronics)制造,具有卓越的电气性能和出色的热性能。
电气参数:
电容特性:
驱动特性:
功率和热管理:
由于其卓越的电气特性,STP45NF06广泛应用于以下领域:
STP45NF06是一个高效、可靠的N沟道MOSFET,适应于高电流和中等电压的应用场景。它结合了低导通电阻、出色的功率处理能力和优秀的热稳定性,确保了广泛的应用灵活性和高性能。无论是在电源管理还是电动机控制领域,该器件都能提供稳定、高效的解决方案。根据不同的负载和工作环境条件,工程师们可以充分利用STP45NF06的特性,实现所需的设计目标,提升整体系统的效率和性能。