STP26NM60N
STP26NM60N参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 165mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 140W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 165 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1800pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP26NM60N手册
STP26NM60N概述
STP26NM60N 产品概述
产品概述
STP26NM60N 是意法半导体（STMicroelectronics）生产的一款高性能 N 型通道 MOSFET（场效应晶体管），其主要特点包括高漏源电压（Vdss）和高功率处理能力。该器件适用于各种高电压应用，如开关电源、电机驱动、照明控制和逆变器等。其优良的电气特性和高温性能使其在工业和消费类电子产品中具有广泛的应用潜力。
关键参数
漏源电压（Vdss）: STP26NM60N 的最大漏源电压为 600V，能够在高压环境下稳定工作。这使得它特别适合用于高电压电源和电机驱动应用，能够应对可能出现的高压情况。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，STP26NM60N 可以提供高达 20A 的连续漏极电流。这一能力保证了它可以在严苛条件下正常工作，并提供可靠的电流输出。
栅源阈值电压: 栅源电压阈值（Vgs(th)）为 4V @ 250µA，意味着该 MOSFET 能够通过较低的栅电压快速导通，从而提高系统的效率和响应速度。
泄漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 10A 和 10V 的条件下，导通电阻为 165mΩ，这一较低的导通电阻减少了在通断状态下的功耗，从而提升了总体的电能效率。
最大功率耗散: 当运行在 25°C 时，STP26NM60N 的最大功率耗散能力为 140W，提供了良好的散热性能。
工作温度范围: 该器件具有高达 150°C 的工作温度范围，使其能够在高温环境中可靠运行，非常适合用于恶劣环境下的应用。
封装类型: STP26NM60N 采用 TO-220AB 封装，适合通过通孔方式进行安装，便于散热和机械固定。
应用场景
STP26NM60N 适用于多种电子电路构成和电力转换应用，包括：
- 开关电源: 由于其高效率和低导通电阻特性，STP26NM60N 非常适合用于高频开关电源的主开关元件。
- 电机驱动: 在电机驱动领域，能够承受高电压和高电流的特性使其成为驱动电机的理想选择。
- 逆变器: 在光伏逆变器及其他类型的逆变器中，STP26NM60N 能够实现高效电能转换，保证系统的稳定性和性能。
- 照明控制: 其可用于LED照明场合的开关与调光控制，可以高效驱动各类LED光源。
总结
STP26NM60N 是一款高性能的 N 型通道 MOSFET，具备优异的电气性能与温度承受能力，适用于复杂且要求严格的电力管理和转换应用。意法半导体凭借其高质量的设计和工艺，确保了该器件的可靠性与耐用性，使得 STP26NM60N 在现代电子产品中得到广泛的应用。在许多要求高电压、高电流及高效能的应用场景中，STP26NM60N 无疑是一个值得信赖的选择。