STP20NM60FP
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
2.56g
描述 :
场效应管(MOSFET) 45W 600V 20A 1个N沟道 TO-220FP
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
32.09按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥32.09
--
100+
￥28.66
--
1000+
￥27.69
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP20NM60FP参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 20A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 290 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 54nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1500pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
STP20NM60FP手册
STP20NM60FP概述
STP20NM60FP 产品概述
STP20NM60FP 是由意法半导体 (STMicroelectronics) 推出的一款高性能N沟道MOSFET场效应管，广泛应用于高压开关电路、DC-DC转换器、逆变器及电机驱动等电子应用中。其极佳的电气性能和热特性使其成为工业和消费类电子产品的重要组成部分。
关键规格
STP20NM60FP具有以下关键技术参数：
- 漏源电压（Vdss）：最大可承受电压为600V，适用于高压电源和大电流应用。
- 最大连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，连续漏极电流可达到20A，满足多种中高功率应用的需求。
- Rds(on)：在10V的驱动电压下，最大导通电阻为290毫欧，对于提高整体工作效率及降低功耗至关重要。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为5V，在250µA的漏电流下确保开关的高效控制。
- 栅极电荷（Qg）：在10V驱动下，栅极电荷最大为54nC，降低了开关损耗，提高了开关频率的灵活性。
- 输入电容 (Ciss)：在25V时，最大输入电容为1500pF，有助于快速开关并降低驱动信号的功耗。
- 功率耗散（Pd）：最大功率耗散能力为45W，支持高电流应用中的热管理。
热特性和工作环境
STP20NM60FP的最大结温可达到150°C，适应于恶劣环境下的严格工作条件。该 MOSFET 采用TO-220封装，易于散热和安装，适用于直插式的电路板设计，因此在散热控制上表现出了良好的性能，特别在高功率应用中尤为重要。
应用领域
基于优异的电气特性，STP20NM60FP广泛适用于：
- 电源管理：在AC-DC和DC-DC转换器中，扮演关键的开关元件，支持高效率的功率转换。
- 电动机控制：用于驱动直流电动机和无刷电动机，配合PWM控制技术实现精细化控制。
- 逆变器：在光伏逆变器和UPS系统中，提供高效的电源转换方案，保障系统稳定运行。
- 通用开关：适用于高压开关或者负载切换应用，在各种工业自动化设备中得到广泛应用。
节能和高效率
鉴于其低导通电阻和功率消耗，STP20NM60FP能够显著提高系统的能量效率，并减少由于功率损耗产生的热量。这不仅降低了整体功耗，还延长了设备的使用寿命，助力可持续发展的设计理念。
总结
STP20NM60FP凭借其卓越的性能、宽广的应用范围和可靠的节能特性，成为广受欢迎的N沟道MOSFET选择。无论是在工业还是消费电子领域，其灵活性与高效性都使得它能够适应快速变化的技术需求，为各种创新产品和解决方案提供可靠的支持。
无论您是设计工程师还是电子产品开发者，STP20NM60FP将为您的产品带来更高的性能，助力您在严峻的市场竞争中脱颖而出。