漏源电压(Vdss) | 60V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 16A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 90mΩ @ 8A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 45W(Tc) | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 16A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V,5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 90 毫欧 @ 8A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10nC @ 5V | Vgs(最大值) | ±16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 345pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 45W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP16NF06L 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其主要特点包括优良的电气性能、单个 TO-220 封装以及宽广的工作温度范围,使其在多个电子应用领域中提供可靠的解决方案。这款 MOSFET 特别适合用于高效的开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动电路。
STP16NF06L 采用 TO-220-3 封装,便于散热的性能设计,适应于各种通孔安装类型。这种封装能够有效实现良好的热管理,符合高功率应用的需求。同时,TO-220 封装也为用户提供了方便的焊接和安装体验。
STP16NF06L 的广泛应用主要包括但不限于以下几个方面:
STP16NF06L 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET,凭借其良好的电气特性和宽广的工作温度范围,在电力电子领域展现出极高的适应性。无论是在高频开关的应用中,还是在需要高电流承载能力的场合,它都能提供可靠而高效的解决方案。其 TO-220 封装设计不仅方便用户的使用与安装,而且能够确保器件在不同工作条件下的稳定性。针对各类应用需求,STP16NF06L 将是设计工程师们的重要选择。