STP150N10F7
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
3.45g
描述 :
场效应管(MOSFET) 250W 100V 110A 1个N沟道 TO-220
库存 :
75(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
7.7按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥7.7
--
100+
￥6.53
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP150N10F7参数
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 110A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 4.2mΩ @ 55A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 250W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 110A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.2 毫欧 @ 55A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 117nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 8115pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 250W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP150N10F7手册
STP150N10F7概述
STP150N10F7 产品概述
产品概述： STP150N10F7是一款高性能的N沟道场效应管（MOSFET），设计用于各种高功率应用。该元件采用TO-220封装，具有优越的电气特性和热性能，使其成为工业、汽车、消费电子以及电源管理等领域的理想选择。凭借其在严格环境下的可靠性和有效的散热能力，STP150N10F7广泛应用于开关电源、直流-直流变换器、电机驱动和其他要求高效率的电路。
技术参数：
- 漏源电压（Vdss）： 100V：该参数表示元件在断态下能够承受的最大漏极至源极电压。这一电压级别确保了该MOSFET在高电压应用中的可靠性。
- 连续漏极电流（Id）： 110A（在25°C时）：这表示在规定的工作条件下，MOSFET可以提供的持续电流能力，确保其能在高负载条件下正常运行。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）： 4.5V @ 250µA：该参数定义了开启MOSFET所需的最低栅源电压，这使得驱动电路设计更为简便。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）： 4.2mΩ @ 55A，10V：极低的导通电阻显著减少了在电流传输过程中产生的功耗，提升了总效率。
- 最大功率耗散： 250W（当Tc=25°C时）：该参数指示它能够在额定条件下散热的最大功率，有助于防止过热导致的故障。
- 工作温度范围： -55°C 至 175°C：广泛的工作温度范围使得STP150N10F7能够在非常严苛的环境条件下保持稳定性能。
- 最大栅极驱动电压（Vgs）： ±20V：确保在极性变化下依然能够有效驱动栅极。
- 输入电容（Ciss）： 8115pF @ 50V：这个参数影响开关速度，对于高频率应用尤为重要。
应用领域： STP150N10F7适合多种用途，其高电流和高电压能力使其在电源管理、开关电源、直流电机驱动和逆变器等应用中表现出色。
- 开关电源：在高效开关电源设计中，STP150N10F7可以提供低导通电阻，实现高效率的能源转换。
- 电机驱动：在电动车和电动工具中的电机驱动方面，能够承受高电流负载，提供必要的动力输出。
- 直流-直流变换器：在这些变换器中，STP150N10F7的高频开关特性和低损耗特性优化了变换效率。
- 消费电子产品：广泛用于电视机、电脑和其他家用电器中的电源管理模块。
封装与安装： STP150N10F7采用TO-220封装，这种封装形式提供良好的散热性能，同时相对容易安装，适用于通孔工艺。TO-220的设计允许更高的功率密度，便于热管理，以确保MOSFET在高性能条件下长时间工作。
总结： STP150N10F7凭借其显著的技术参数和可靠性，成为各种高功率应用中不可或缺的组件。其广泛的工作温度范围和高电流支持能力，使其在严苛环境下表现出色。随着人们对能效要求的提升，STP150N10F7无疑将继续在相关应用中发挥重要作用，是工程师和设计师的优秀选择。