STP13NM60N
品牌 :
ST(意法半导体)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
2.735g
描述 :
场效应管(MOSFET) 90W 600V 11A 1个N沟道 TO-220
库存 :
793(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
6.41按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.41
--
100+
￥5.13
--
1000+
￥4.75
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
STP13NM60N参数
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 11A(Tc) |
| 漏源导通电阻 | 360mΩ @ 5.5A,10V | 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 90W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 11A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 360 毫欧 @ 5.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 30nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 790pF @ 50V | 功率耗散（最大值） | 90W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 | 封装/外壳 | TO-220-3 |
STP13NM60N手册
STP13NM60N概述
STP13NM60N 产品概述
1. 产品基本信息
STP13NM60N是一款高性能的N沟道MOSFET，具有优越的电气特性和可靠的工作性能，广泛应用于电力电子、开关电源、电机驱动和其他高频开关环境中。其主要参数包括最大漏源电压（Vdss）为600V，最大连续漏极电流（Id）为11A，功率耗散可达90W（在50°C环境下适当散热）。该器件采用TO-220-3封装，方便安装并具有良好的散热能力，适合多种电子电路设计需求。
2. 电气特性
- 漏源电压（Vdss）：600V，适合高压应用场合，能够承受较高的电压应力。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C环境温度下，额定电流为11A，保证了在高负载情况下的稳定运行。
- 导通电阻（Rds On）：在5.5A、10V的条件下，导通电阻为360mΩ，表现出良好的导电能力，降低了功耗和热量产生。
- 栅源阈值电压（Vgs(th)）：最低值为4V，确保在适宜的栅压下能快速开启，适合高频率的开关应用。
- 栅极电荷（Qg）：在10V下，栅极电荷为30nC，表示其开关特性良好，减少了开关损耗。
3. 额外参数
- 输入电容（Ciss）：在50V时为790pF，较低的输入电容有助于提高开关速度，适合高频应用。
- 最大工作温度（TJ）：器件可以在-55°C到150°C的温度范围内可靠工作，适合恶劣的环境条件。
- 栅源电压（Vgs）：最大允许值为±25V，相对较高的栅压范围使得该器件可通过大多数标准的驱动电路进行控制。
4. 应用领域
STP13NM60N因其优良的电气参数，适合多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源：在中高功率的DC-DC转换器中，作为主开关器件，控制能量的传输和转换。
- 电机驱动：在步进电机和直流电机的驱动电路中，提供高效的开关控制，以提高整体效率与性能。
- 太阳能逆变器：用于光伏发电系统中，将直流电转换为交流电，供给电网或负载。
- 家电产品：在各种家电产品的开关电源中，担当起高压和高能耗的开关元件。
5. 可靠性与散热
采用TO-220-3封装的STP13NM60N不仅提供了良好的电气连接，还具有良好的散热特性。为保持器件在额定功率下的安全工作，建议设计合适的散热器或使用更高效的散热材料和方案。此外，具备高工作温度范围，使其在各种环境条件下都能保持稳定的性能。
6. 总结
STP13NM60N是一款功能强大且高度可靠的N沟道MOSFET，适合于需要高电压、高电流和高效率操作的应用场合。其多项优越的电气特性以及良好的温度稳定性，使得其成为电源管理、驱动电路及高频开关电路中的理想选择。通过恰当的热管理，STP13NM60N能够满足严格的性能要求，为用户提供安全、稳定的技术支持。