STN4NF20L
STN4NF20L参数
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.5Ω @ 500mA,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.3W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 500mA，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .9nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 3.3W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
STN4NF20L手册
STN4NF20L概述
STN4NF20L 产品概述
STN4NF20L 是一款高性能的 N 沟道 MOSFET（场效应管），由意法半导体（STMicroelectronics）生产，广泛应用于各种电子设备和电源管理系统中。它的设计具有卓越的电气特性和高功率处理能力，是满足现代电子产品需求的理想选择。
基本规格
漏源电压（Vdss）: STN4NF20L 具有 200V 的高漏源电压，非常适合在高电压应用中使用。其高电压能力使其能够在多个工业和消费电子产品中稳健运行。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，这款 MOSFET 的连续漏极电流为 1A。这意味着在常规操作条件下，它可以安全地承载此电流，对于大多数小型电子电路来说，这一参数已经足够。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 其栅源极阈值电压为 3V @ 250µA，表明它可以在较低的栅电压下开启，这对于减少控制电路功耗至关重要。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 10V 驱动电压、500mA 电流下，导通电阻达到了 1.5Ω。这一低导通电阻特性在大电流应用中降低了功率损耗，从而提高了系统的整体效率。
驱动电压: STN4NF20L 对应的驱动电压为 5V 至 10V，适用于常见的微控制器和驱动电路。它的设计能够在多个电压条件下保持良好的性能和稳定性。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 时，栅极电荷最大值为 0.9nC，这意味着它具有良好的开关速度，能够快速响应开关控制信号，减少开关损耗。
输入电容（Ciss）: 在 25V 的工作条件下，其输入电容为 150pF。这一特性使得 STN4NF20L 在高频开关应用中表现良好，因为较低的输入电容降低了驱动电路的负担。
工作温度范围: 这款 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 到 +150°C，非常适合于严苛的工作环境，可以满足工业和汽车应用的要求。
功率耗散: STN4NF20L 最大功率耗散为 3.3W（在 Tc = 25°C 下），其设计能够承受高功率操作，同时又不会导致过热，提高了使用的安全性和可靠性。
封装类型: STN4NF20L 采用 SOT-223 表面贴装封装，具有较小的体积，适应于空间有限的设计要求，实现更高的集成度。
应用领域
STN4NF20L 可以广泛应用于许多电子领域，包括但不限于：
- 电源管理: 由于其优越的开关性能和导通特性，STN4NF20L 可以用于 DC-DC 转换器和电源开关，优化电源效率。
- 电动机驱动: 此 MOSFET 适合于电动机速度控制和驱动电路，因其能够承受高电流和高电压操作。
- 汽车电子: 它能够在汽车环境中稳定运行，广泛应用于电动车辆的电源部分。
- 工业控制: STN4NF20L 可以用于各种工业自动化设备中，作为开关元件使用，实现高效的控制和管理。
结论
STN4NF20L 是一款性能卓越的 N 沟道 MOSFET，具备高压、高流、低导通电阻和宽工作温度范围等优良特性，非常适合用于 diverse 应用场景中。凭借其高效的电气参数，STN4NF20L 可以显著提升电路设计的性能和可靠性，是设计工程师在选择场效应管时的重要选择。