STN1N20
STN1N20参数
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 200V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15.7nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 206pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 2.9W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
STN1N20手册
STN1N20概述
STN1N20 产品概述
一、基本信息
STN1N20是一款高性能的N沟道MOSFET，由意法半导体（STMicroelectronics）生产，广泛应用于高电压和高效能的开关电源、电机驱动器以及电力管理等领域。该产品采用TO-261-4及SOT-223两种封装形式，具有表面贴装（SMT）特性，便于在现代电子设备的小型化和集成化要求下进行应用。
二、关键参数
漏源极电压（Vdss）：STN1N20的漏源极电压高达200V，能够在高压环境中稳定工作，使其适用于需要高电压操作的应用场景。
电流承载能力：该器件在25°C的条件下，具有1A的连续漏极电流承载能力（Id），在处理电流时表现优良。
导通电阻（Rds(on)）：在10V的栅极驱动电压下，STN1N20展示出最大1.5Ω的导通电阻，这使得其在进行电源开关时具有较低的功耗，优化了热管理，提升了整体系统的效能。
栅极阈值电压（Vgs(th)）：在250μA下的最大阈值电压为5V，这为设计者提供了更大的灵活性，以便于在门驱动电路中进行优化。
输入电容（Ciss）：在25V的工作条件下，其输入电容的最大值为206pF，确保了快速的开关操作，能够适应高频率应用。
栅极电荷（Qg）：最大栅极电荷为15.7nC（在10V下），这使得STN1N20在开关时的驱动功耗得到有效控制，从而提高整体效率。
最大功率耗散：在使用条件下，器件的最大功率耗散为2.9W，意味着该MOSFET在高负载条件下仍能够保持良好的热性能。
工作温度范围：STN1N20的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适用于各种极端环境，适合军事、航天及工业应用。
三、应用场景
STN1N20因其优秀的性能参数，被广泛应用于多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源：用于降低开关损耗，提高电源转换效率。
- 电机驱动：适合在电机的启动和调速过程中提供可靠的控制能力。
- LED驱动：用于高效的LED照明和驱动电路中，提升亮度且降低能耗。
- 电力管理：用于电路中的电源开关，实现高效率的电能转换。
四、总结
STN1N20作为一款先进的N沟道MOSFET，凭借其高电压、高电流承载能力，以及优异的导通电阻和频繁开关性能，成为电子设计师和工程师在现代电源和信号处理应用中的理想选择。无论是在高温或是高压的严苛环境中，STN1N20均能稳定工作，展现出其在各类应用中的强大优势。选择STN1N20，不仅能够满足高效、低功耗的设计需求，还有助于提升整体系统的可靠性和性能。